本文采用因子分析，聚类分析，判别分析等方法对半导体行业进行多元统计分析，并从企业财务指标对企业绩效进行评估。 KMO检验和Bartlett检验表明，半导体行业的财务数据非常适合因子分析。 通过因子分析和聚类分析，最终将71家半导体公司按照偿付能力，盈利能力，运营能力和成长能力分为四类，为投资者提供参考。

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功率半导体下游应用广泛，基本上涉及到电力系统的地方都会使用功率器件。下游应用领域主要可分为几大部分： 消费电子、新能源汽车、可再生能源发电及电网、轨道交通、白色家电、工业控制，市场规模呈现稳健增长态势。 基于不同应用场景所对应的功率和频率，人们选择使用相应的功率器件和基材。功率半导体器件从早期简单的二极管逐渐向高性能、集成化方向发展，从结构和等效电路图看，为满足更广泛 的应用需求和复杂的应用环境，器件设计及制造难度逐渐提高。功率半导体可根据对电路信号的可控程度分为全控型、半控型及不可控型；按载流子类型分为单 极型、多极型和混合型。随着技术进步以及更高的性能需求，又可以按所用材料分为硅基、第二

随着 Si 材料的瓶颈日益突出，以砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导 体材料开始崭露头角，使半导体材料的应用进入光电子领域，尤其是在 红外激光器和高亮度的红光二极管等方面。第三代半导体材料的兴起， 则是以氮化镓（GaN）材料 p 型掺杂的突破为起点，以高亮度蓝光发光 二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的研制成功为标志，包括 GaN、碳 化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）等宽禁带材料。第三代半导体（本文以 SiC 和 GaN 为主）又称宽禁带半导体，禁带宽 度在 2.2eV 以上，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电 子密度、高迁移率等特点，逐步受到重视。SiC 与 GaN 相比较，

三代半导体材料之间的主要区别是禁带宽度。现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论， 能带理论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带，价带被电子填满且导带上无电子时，晶体不 导电。当晶体受到外界能量激发（如高压），电子被激发到导带，晶体导电，此时晶体被击穿，器 件失效，禁带宽度代表了器件的耐高压能力。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁 带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。第三代半导体材料能量密度更高。以氮化镓为例，其形成的HEMT器件结构中，其能量密度约为5- 8W/mm，远高于硅基MOS器件和砷化镓射频器件的0.5-1W/mm的能量密度，器件可承受更高的 功率和电压

数据观察：半导体行业营收增速再创新高，全球半导体行业景气刚刚开始（2021）（52页）.pdf