第三版，涉及：电阻，载流子浓度和掺杂密度，接触电阻和肖特基势垒，串联电阻和沟道长度宽度，阈值电压，缺陷，氧化界面，载流子寿命和迁移率，光学特性，化学物理特性，以及可靠性等多方面问题的研究，是一本优秀的国外半导体物理教程