摘要：目前大多数 III 族氮化物的加工都是通过干式等离子体蚀刻完成的。 干式蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤，并且难以获得激光所需的光滑蚀刻侧壁。典型的均方根 ~rms！通过干法蚀刻产生的侧壁的粗糙度约为 50 nm，尽管最近已经报道了具有低至 4±6 nm 的 rms 粗糙度的表面。光增强电化学~PEC！湿法蚀刻也已被证明用于蚀刻氮化镓~GaN！。PEC蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤小等优点，但目前还没有找到生产光滑垂直侧壁的方法。还报道了 GaN 的解理面，其均方根粗糙度在蓝宝石衬底上生长 GaN 的16 nm 和尖晶石衬底上生长 GaN 的 0.3 nm 之间变化。

宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。在本文中，我们回顾了三种重要材料的湿法蚀刻，即 ZnO、GaN 和 SiC。虽然 ZnO 在包括 HNO3/HCl 和 HF/HNO3 在内的许多酸性溶液中以及在非酸性乙酰丙酮中很容易蚀刻，但 III 族氮化物和 SiC 很难湿蚀刻，通常使用干蚀刻。已经研究了用于 GaN 和 SiC 的各种蚀刻剂，包括无机酸和碱水溶液以及熔盐。湿法蚀刻对宽带隙半导体技术有多种应用，包括缺陷装饰、极性和多型（对于 SiC）通过产生特征凹坑或小丘进行识别，以及在光滑表面上制造器件。在某些情况下，电化学蚀刻在室温下对 GaN 和 SiC 是成功的。此外，光辅助湿蚀刻产生类似的速率，与晶体极性无关。

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