掺杂铬（Cr）的氧化锌ZnO薄膜通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在420°C的温度下以不同的掺杂剂浓度沉积在玻璃基板上。 研究了铬浓度对薄膜的形态，结构，光学，电学和气敏性能的影响。 扫描电子显微镜结果表明，Cr的浓度对结晶度，表面光滑度和晶粒尺寸有很大的影响。 X射线衍射（XRD）研究表明，薄膜本质上是多晶的，并以六方纤锌矿结构生长。 从光学测量获得3.32至3.10 eV的直接光学带能隙。 发现透射率随着Cr掺杂浓度的增加而降低。 卢瑟福背散射光谱（RBS）分析还表明，Cr离子可替代地掺入ZnO中。 薄膜的IV特性显示，室温下的电阻率范围为1.134×10-2·cm至1.24×10-2·cm。 通过在最佳工作温度约为200°C的条件下掺入Cr作为掺杂剂，可以增强薄膜的气体传感响应。
2024-01-14 21:15:33
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TF DCVD introduction process(化学气相沉积工艺介绍），适合从事半导体制造工艺工程师和工艺集成工程师学些
2021-11-02 09:05:43
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