解释功率MOSFET 数据手册中提供的参数和图表，其目标是帮助工程师确定针对特定应用的最佳器件。例如，当主要考虑开关损耗时，便尽可能减少开关电荷；而主要考虑导通损耗时，则尽可能降低导通电阻。

Nexperia全新POWER MOSFET工程师设计指南 1. 介绍MOSFET参数； 2. 功率MOSFET单次和重复雪崩强调限值 3. RC热阻模型的使用 4. 热设计一 5. 热设计二 6. 功率MOSFET的并联使用 7. RC缓冲电路的设计 8. 功率MOSFET电气过应力的失效特征 9. 功率MOSFET的一些常见问题

功率 MOSFET的正向导通、反向导通、正向截止等效电路，稳态特性总结；包含寄生参数的功率MOSFET等效电路；功率 MOSFET的开通和关断过程原理；因二极管反向恢复引起的 MOSFET开关波形；功率 MOSFET的选择原则与步骤等。

摘要：针对桥式拓扑功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的桥臂直通问题，给出了计及各寄生参数的驱动电路等效模型，对栅极驱动信号振荡的机理进行了深入研究，分析了驱动电路各参数与振荡的关系，并以此为依据对驱动电路进行参数优化设计，给出了实验波形。理论分析和实验结果表明，改进后的驱动电路成功地解决了驱动信号的振荡问题，从而保证了功率MOSFET能够安全、可靠地运行。 　　关键词：振荡；驱动电路；桥式拓扑结构 　　引言     　　功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛的应用。当采用功率MOSFET桥式拓扑结构时，同一桥臂上的两个功率器件在转换过程

MT3540 是一款固定频率，SOT23-5 封装的电流模 式升压变换器，高达 1.2MHz 的工作频率使得外围电 感电容可以选择更小的规格。内置软启动功能减小了 启动冲击电流。 MT3540 轻载时自动切换至 PFM模式。 MT3540 包含了输入欠压锁定，电流限制以及过热 保护功能。 小尺寸的封装给 PCB省下更多的空间 内部集成 500mΩ 功率 MOSFET 2、2.5V 到 5.5V 输入电压范围 3、1.2MHz 固定频率工作 4、内部 1.5A电流限制 5、可调输出电压 6、芯片内部补偿，简化外围元件总数 7、输出电压最高支持到 28V 8、高效率：最高可达85% 9、自动 PFM 10、SOT23-5封装

基于输入28.5 VDC，输出总功率180 W的机载计算机电源的设计，为满足“GJB181飞机供电特性”中对飞机用电设备输入28.5 VDC时过压浪涌80 V/50ms的要求，采用检测输入电压并控制MOSFET导通和关断的方法，通过对该电路的理论数据分析及与实际测试数据做比较，模拟了80 V/50 ms过压浪涌的试验，并用示波器记录了测试波形，得出该设计电路在输入28.5 VDC时，可以完全满足GJB181飞机供电特性过压浪涌要求的结论。并通过扩展应用介绍了在其他输入电压类型时过压浪涌保护电路的设计。

电源系列MOSFET IGBT应用入门与精通MOSFET并联技术应用电路分析等技术资料180个合集 (核心)MOSFET开关详细过程.pdf (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf (核心)功率MOSFET安全工作区SOA：真的安全.pdf (核心)功率MOSFET的特性.pdf (核心)功率MOS管的五种损坏模式详解.pdf (核心)如何导通MOSFET.pdf IRF3205S中文资料.doc IR系列MOS驱动ic中文应用手册.pdf MOSEFT分析_理解功率MOSFET的开关损耗.pdf MOSFET Mosfet 和 三极管：在ON 状态区别.pdf MOSFET 应用说明.pdf MOSFET-IGBT的驱动理论与应用.pdf MOSFET与IGBT的区别.doc MOSFET与IGBT的应用区别.pdf MOSFET与IGBT的本质区别.pdf MOSFET与IGBT的驱动和保护方法.pdf MOSFET体二极管反向恢复过程分析.pdf MOSFET和IGBT性能对比.pdf MOSFET和IGBT的对比分析.pdf MOSFET并联技术 MOSFET损耗计算 MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf MOSFET栅极应用电路分析汇总（驱动、加速、保护、自举等等）.pdf MOSFET温升计算工具.xls MOSFET特性参数的理解.pdf MOSFET的UIS及雪崩能量解析.docx MOSFET的雪崩能量与器件的热性能.doc MOSFET的驱动技术详解.doc MOSFET管驱动电路基础总结.docx MOSFET米勒震荡应对1.pdf MOSFET米勒震荡应对2.pdf MOSFET米勒震荡应对3.pdf MOSFET规格书详解.pdf MOSFET计算公式.xls MOSFET选型手册(ALPHA&OMEGA).pdf MOSFET雪崩能量的应用考虑.doc MOSFET雪崩能量计算方法.pdf MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计.pdf MOSFET驱动方式详解.pdf MOSFET驱动电路设计参考.pdf MOSFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区.pdf MOS器件ESD失效的机理分析.pdf MOS开关损耗计算.pdf MOS管与三极管的区别作用特性参数.pdf MOS管击穿原因详析及各类解决方案.doc MOS管功率损耗竟然还可以这么测.pdf MOS管参数详解及驱动电阻选择.pdf MOS管器件击穿机理分析.pdf MOS管开关时的米勒效应 张飞.pdf MOS管炸不炸,原因就在这里.pdf mos管的GS波形振荡怎么消除.pdf mos管的最大持续电流是如何确定.pdf MOS管被击穿的原因及解决方案(全).doc mos管门级驱动电阻计算.pdf MOS管静电击穿的原因和防护措施.doc MOS管驱动电阻怎么选择.doc MOS管驱动电阻怎么选择.pdf NECMOSFET选型.pdf VISHAYMOS选型手册.pdf VISHAY功率MOSFET基本系列：了解栅极电荷并用来评估开关性能.pdf 从安全工作区探讨IGBT的失效机理.pdf 传统MOSFET和超结MOSFET的体二极管反向恢复特性评估.pdf 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量.doc 关于MOS管的15个为什么.pdf 典型开关MOS电流波形的精细剖析.pdf 再谈米勒平台及线性区：为什么传统公式计算超结MOSFET开关损耗无效？.pdf 分立MOS—双极达林顿功率开关设计中的一些问题----(国外电力电子技术).pdf 功率MOSFET低温工作特性分析.pdf 功率MOSFET反向特性的分析模拟.pdf 功率MOSFET并联驱动特性分析.pdf 功率MOSFET的UIS雪崩损坏机理：第五篇.pdf 功率MOSFET的封装失效分析.pdf 功率MOSFET的栅极电荷特性.pdf 功率MOSFET的特性.pdf 功率MOSFET的结构与特点.pdf 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析.pdf 反激式电源中MOSFET的钳位电路.pdf 吃透各类MOSFET电路.pdf 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较.pdf 基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法.pdf 基于有源控制的IGBT串联技术的研究及应用.pdf 如何确定MOSFET的驱动电阻.pdf 并联MOSFET的雪崩特性分析.doc 张兴柱-功率器件设计公式.pdf 张兴柱之MOSFET分析.pdf 有源钳位电路.pdf 深入理解功率MOSFET数据表.docx 理解MOSFET的VTH：栅极感应电压尖峰.docx 理解MOSFET的每个特性参数的分析.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管

TC4426A/TC4427A/TC4428A 1.5A双高速功率MOSFET驱动器特性 • 峰值输出电流高：1.5A • 输入电源电压工作范围宽： - 4.5V 至 18V • 容性负载驱动能力强：25 ns 内 1000 pF （典型 值） • 延时时间短：30 ns （典型值） • 匹配的上升、下降和延时时间 • 电源电流低： - 对于逻辑 “1”，输入电流：1 mA （典型值） - 对于逻辑“0”，输入电流：100 µA （典型值） • 输出阻抗低：7Ω （典型值） • 锁定保护：能够经受 0.5A 的反向电流 • 输入能够经受住 高 5V 的负输入 • ESD 保护：4 kV • 与 TC426/TC427/TC428 和 TC4426/TC4427/ TC4428 引脚兼容 • 节省空间的 8 引脚 MSOP 和 8 引脚 6x5 DFN 封装 应用 • 开关式电源 • 线路驱动器 • 脉冲变压器驱动 基本说明 TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件是早先 TC4426/ TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进型。除了 匹配的上升和下降时间之外， TC4426A/TC4427A/ TC4428A 器件还具有匹配的上升和下降延时时间。 在额定功率和额定电压范围内的任何条件下，器件具有 很高的锁定阻抗。即便接地引脚上出现高达 5V 的干扰 尖峰（无论是正向还是反向），器件也不会损坏。器件 能够接受强行返回至输出的高达 500 mA 的反向电流 （无论极性如何），不会造成器件损坏或逻辑混乱。全部 引脚都是完全静电放电 （Electrostatic Discharge， ESD）保护的，能够承受至多 4 kV 的静电。 TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET 驱动器，能够 在 30 ns 之内，轻松地对 1000 pF 的门极电容进行充 电 / 放电。在开、关状态下，器件都具有足够低的阻抗， 确保MOSFET的期望状态不受影响，即便发生大的暂态 也不会影响期望状态。 封装类型 注 1：DFN 封装裸露的焊垫是电气绝缘的。 8 引脚 DFN(1) NC IN A GND IN B 2 3 4 5 6 7 81 1 2 3 4 NC 5 6 7 8 OUT A OUT B NC IN A GND IN B VDD TC4426A TC4427A TC4426A TC4427A NC OUT A OUT B VDD TC4426A TC4427A TC4428A NC OUT A OUT B VDD TC4428A TC4428A NC OUT A OUT B VDD TC4426A TC4427A NC OUT A OUT B VDD TC4428A NC OUT A OUT B VDD 8 引脚 MSOP/ PDIP/SOIC 2006 Microchip Technology Inc. DS21423E_CN 第 1 页

这本《 Arduino快速功率MOSFET驱动器食谱》演示了三种廉价的选项来驱动大型功率MOSFET的快速运行。

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术.zip