各种功率半导体器件和IGBT的电路符号docx,二极管是最简单的功率器件。以下各图以二极管为基础,说明晶闸管、晶体管以及IGBT的开关。
2022-08-27 21:52:50 91KB 其他
1
该文档为功率半导体器件物理与工艺研究讲解文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
2022-04-02 14:11:07 14.66MB 功率半导体器件
1
功率半导体技术是半导体领域的重要研究内容之一,主要应用于现代电子系统的功率处理单元,是当今消费类电子、工业控制和国防装备等领域中的关键技术之一.本文概要介绍了功率半导体器件与集成技术的特点和应用范围,阐述了功率半导体器件与集成技术的发展现状和趋势,给出了未来技术发展路线图,最后梳理了未来技术发展的若干问题.
2022-01-26 11:01:32 1.25MB 功率半导体 工艺整合 MOSFET IGBT
1
包含了sentaurus仿真中关于器件结构和器件仿真的基本讲解,适用于初步学习功率半导体仿真
2021-10-25 22:07:06 14.73MB TCAD
1
功率半导体器件直流参数测试系统的研发.pdf
2021-08-29 18:12:00 943KB 半导体 导体技术 导体研究 参考文献
完整英文版 IEC 60747-15:2010 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 15:Isolated power semiconductor devices(半导体器件 - 分立器件 - 第15部分:隔离式功率半导体器件)。IEC 60747-15:2010给出了对隔离式功率半导体器件的要求,不包括带有控制电路的器件。这些要求是IEC 60747其他部分对相应的非隔离式功率器件的补充。
2021-08-03 09:32:02 2.49MB iec 60747-15 半导体 功率
进入21世纪,开关电源技术将会有更大的发展,这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作,沿着下述方向,开发与开关电源相关的产品和技术。   碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是禁带宽,工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、DNI结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率的半导体开关器件,如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。    来源:ks99
1
半导体书籍,个人读过的比较不错的一本。对于各种开关过程,描述的十分详细。
2021-04-30 10:29:07 4.64MB 半导体
1
功率半导体器件又被称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础,详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件,包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容,《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时,作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家,作者斯蒂芬•林德(Stefan Linder)还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析,力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书,也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。
2019-12-21 20:25:26 63.12MB 功率半导体 器件与应用 IGBT应用 半导体
1