dynamic parametric test system for discrete semiconductors The ITC57300 Dynamic Parametric Test System mainframe accepts Test Heads that perform nondestructive transient measurements on semiconductor devices such as Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT), power MOSFETs, diodes, and other bipolar devices(requires additional optional bias power supplies and custom personality boards). Included in the mainframe are all test equipment and software necessary to analyze and perform resistive and inductive switching time, switching losses, gate charge, Trr/Qrr, and other transient tests. Test Heads, which are designed for a specific type of transient test, mate to a special Test Head Receiver on the mainframe. While Test Heads are designed to perform only one specific test, personality boards within each Test Head reconfigure the Test Head for a specific device, device package, and various device circuit arraignments.

自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。理想情况下，您可以利用电源变压器直接驱动同步整流器，但是由于宽泛的输入电压变量，变压器电压会变得很高以至于可能会损坏同步整流器。

采用分立器件搭建的H桥电路仿真。博文《Cadence16.6 PSpice仿真步骤---以分立器件搭建的H桥电路仿真为例》的仿真工程文件。

采用IR2101进行全桥分立器件驱动，可以驱动120W的直流电机，也可以切换电压。

功率半导体分立器件产业及标准化白皮书

设备试验方法，有助于产品开发时设计产品的筛选试验、可靠性试验大纲和评估方法。

15651 半导体器件分立器件和集成电路 - 光电子器件 - 包含全部4份标准文件 - 对应 IEC 60747.7z

完整英文电子版 IEC 60747-7：2019 Semiconductor devices – Discrete devices – Part 7：Bipolar transistors(半导体器件 – 分立器件 – 第 7 部分：双极晶体管)。IEC 60747-7:2010+A1:2019 给出了适用于以下双极晶体管子类（不包括微波晶体管）的要求。 - 小信号晶体管（不包括开关和微波应用）； - 线性功率晶体管（不包括开关、高频和微波应用）； - 用于放大器和振荡器应用的高频功率晶体管； - 用于高速开关和电源开关应用的开关晶体管； - 电阻偏置晶体管。

完整英文版 IEC 60747-3：2013 Semiconductor devices - Part 3：Discrete devices：Signal, switching and regulator diodes（半导体器件 - 第3部分：分立器件：信号、开关和稳压二极管）。IEC 60747-3:2013给出了对以下设备的要求。 - 信号二极管（不包括设计在几百兆赫以上频率工作的二极管）。 - 开关二极管（不包括高功率整流二极管）。 - 电压调节器二极管；电压基准二极管。 - 电流调节器二极管。

完整英文版 IEC 60747-4：2017 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4：Microwave diodes and transistors(半导体器件 - 分立器件 - 第四部分：微波二极管和晶体管)。IEC 60747-4:2007+A1:2017 规定了对下列各类分立器件的要求：可变电容二极管和快断二极管、混频器二极管和检测器二极管、雪崩二极管、枪形二极管、双极晶体管和场效应晶体管。