### 全球SiC基模块及分立器件市场现状与未来趋势分析报告 #### 一、引言 碳化硅(SiC)基模块及分立器件作为一种高性能半导体材料，因其出色的性能指标（如高热稳定性、高电压承受能力、低能耗特性等），在新能源汽车、电力电子以及工业控制等多个领域展现了巨大的应用潜力。本报告旨在通过对当前全球SiC基模块及分立器件市场的深度剖析，结合最新的行业调研数据，揭示该市场的发展现状并预测未来趋势，为投资者和业界人士提供有价值的信息。 #### 二、SiC基模块及分立器件定义与供应链结构 **定义：** SiC基模块及分立器件是指利用SiC材料制成的各种半导体模块与分立元件，这些产品具有耐高温、耐高压、抗辐射以及支持高频操作等优点。 **供应链结构：** 1. **SiC材料供应商**：提供高质量的SiC原料，对最终产品的性能有着决定性的影响。 2. **SiC基模块及分立器件生产商**：负责设计与制造基于SiC材料的半导体模块和分立器件。 3. **下游应用企业**：将这些高性能的SiC产品应用于实际场景中，如新能源汽车的动力系统、电力电子设备的转换效率提升等。 #### 三、主要生产企业与行业生产商 根据QYResearch的研究数据，全球SiC基模块及分立器件市场的主导企业包括但不限于： 1. **意法半导体（STMicroelectronics）**：作为全球领先的半导体制造商之一，意法半导体在SiC基模块及分立器件领域拥有深厚的技术积累和广泛的市场经验。其产品线覆盖新能源汽车、电力电子等多个领域。 2. **英飞凌（Infineon）**：作为全球知名的半导体解决方案提供商，英飞凌的SiC基模块及分立器件产品在性能方面表现优异，广泛应用于工业控制、不间断电源(UPS)、数据中心等领域。 3. **Wolfspeed**：作为SiC材料和技术的领导者，Wolfspeed的产品在高温、高压等极端条件下表现卓越，尤其适用于新能源汽车、电力电子等行业。 此外，罗姆(Rohm)、安森美(ON Semiconductor)、比亚迪半导体(BYD Semiconductor)、微芯科技(Microchip Technology)和三菱电机(Vincotech)等企业也在市场上占据了一席之地。 #### 四、市场现状与趋势分析 **市场现状：** 据QYResearch的数据，2022年全球SiC基模块及分立器件市场的销售额达到142亿元人民币，预计到2029年将达到1040亿元人民币，期间年复合增长率(CAGR)为30.0%。其中，中国市场增长迅速，成为全球市场的重要推动力量。SiC MOSFET模块占据了大约50%的市场份额，而汽车领域则是最大的下游应用领域，占比约为60%。 **趋势分析：** 1. **市场规模将持续扩大**：随着新能源汽车和电力电子等领域的快速发展，SiC基模块及分立器件的需求将持续增加。尤其是在新能源汽车领域，这些高性能的半导体器件的应用范围将进一步扩展。 2. **技术创新推动产业升级**：随着SiC材料技术和生产工艺的进步，SiC基模块及分立器件将向更高性能、更高可靠性和更高集成度的方向发展。产品种类也将变得更加多样化，以满足不同应用领域的需求。 3. **亚太市场将成为全球主要增长极**：特别是中国市场的快速增长将带动整个亚太地区的SiC基模块及分立器件市场发展。北美和欧洲等地随着对新能源汽车和电力电子等领域的重视程度提高，市场也将继续保持稳定增长。 #### 五、结论与展望 综合以上分析，全球SiC基模块及分立器件市场前景广阔。随着市场规模的不断扩大和技术的不断创新，未来几年内该行业将迎来更多发展机遇。对于投资者而言，密切关注市场动态和技术趋势是关键。同时，企业也需要不断加强研发能力和技术创新，提高产品质量，以满足不断增长的市场需求。 **注**：QYResearch是一家全球知名的大型咨询公司，专注于高科技行业的市场研究，涵盖了半导体、光伏、新能源汽车、通信、先进材料、机械制造等多个领域。

dynamic parametric test system for discrete semiconductors The ITC57300 Dynamic Parametric Test System mainframe accepts Test Heads that perform nondestructive transient measurements on semiconductor devices such as Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT), power MOSFETs, diodes, and other bipolar devices(requires additional optional bias power supplies and custom personality boards). Included in the mainframe are all test equipment and software necessary to analyze and perform resistive and inductive switching time, switching losses, gate charge, Trr/Qrr, and other transient tests. Test Heads, which are designed for a specific type of transient test, mate to a special Test Head Receiver on the mainframe. While Test Heads are designed to perform only one specific test, personality boards within each Test Head reconfigure the Test Head for a specific device, device package, and various device circuit arraignments.

自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。理想情况下，您可以利用电源变压器直接驱动同步整流器，但是由于宽泛的输入电压变量，变压器电压会变得很高以至于可能会损坏同步整流器。

采用分立器件搭建的H桥电路仿真。博文《Cadence16.6 PSpice仿真步骤---以分立器件搭建的H桥电路仿真为例》的仿真工程文件。

采用IR2101进行全桥分立器件驱动，可以驱动120W的直流电机，也可以切换电压。

功率半导体分立器件产业及标准化白皮书

设备试验方法，有助于产品开发时设计产品的筛选试验、可靠性试验大纲和评估方法。

15651 半导体器件分立器件和集成电路 - 光电子器件 - 包含全部4份标准文件 - 对应 IEC 60747.7z

完整英文电子版 IEC 60747-7：2019 Semiconductor devices – Discrete devices – Part 7：Bipolar transistors(半导体器件 – 分立器件 – 第 7 部分：双极晶体管)。IEC 60747-7:2010+A1:2019 给出了适用于以下双极晶体管子类（不包括微波晶体管）的要求。 - 小信号晶体管（不包括开关和微波应用）； - 线性功率晶体管（不包括开关、高频和微波应用）； - 用于放大器和振荡器应用的高频功率晶体管； - 用于高速开关和电源开关应用的开关晶体管； - 电阻偏置晶体管。

完整英文版 IEC 60747-3：2013 Semiconductor devices - Part 3：Discrete devices：Signal, switching and regulator diodes（半导体器件 - 第3部分：分立器件：信号、开关和稳压二极管）。IEC 60747-3:2013给出了对以下设备的要求。 - 信号二极管（不包括设计在几百兆赫以上频率工作的二极管）。 - 开关二极管（不包括高功率整流二极管）。 - 电压调节器二极管；电压基准二极管。 - 电流调节器二极管。