意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能,可用于各种开关拓扑控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。 STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚,为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在MOSFET关断状态时,该引脚可将所连MOSFET的栅电压限制在隔离接地电压,直到下一个真正的导通信号出现为止。 STGAP2SM具有独立的导通/关断输出,可配合两个外部栅极电阻来优化晶体管开关性能。 STGAP2S栅极驱动器全系标配4A轨到轨输出,即使驱动大功率逆变器,也能保证开关操作快速、高效。输入到输出传播延迟在80ns以内,在高开关频率下确保PWM控制精确,满足SiC器件的驱动要求。出色的抗dV / dt共模瞬变干扰能力,使其能够防止耗能的杂散开关操作。 这些器件内置1700V电气隔离功能,可以降低消费级或工业电机驱动器、600V或1200V变频器、DC / DC转换器、充电器、电焊机、感应炉、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)控制器的
2024-03-22 09:47:55 72KB 栅极驱动器 意法半导体 技术应用
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ic课设 华中科技大学。关于过热保护电路的设计与仿真文档自交,亲测实用
2022-12-18 12:20:14 299KB 华中科技大学 ic课设
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NCP1351是一款用于成本至上的反激式开关电源(SMPS)的电流模式控制器。它采用了固定峰值电流技术(准固定Ton),能随着负荷的减小而降低开关频率。因此,使用NCP1351的电源能将无负载时的功耗降至最低,同时在其它负载情况下也提高了功效。当频率降低时,峰值电流逐渐减小到最大峰值电流的约30%,以避免产生互感器机械共振,从而使得产生噪音的可能性被大大降低,并确保了良好的待机性能。    
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PLC系统设计
2022-11-02 14:08:17 484KB PLC 系统设计
为了抑制大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块在短路情况下的硬关断所产生的过高尖峰电压,提出了一种基于多等级动态栅电阻的软关断策略,并给出了该策略的具体实现方法。通过3300V/1200A IGBT模块的短路实验证明了此策略可以使驱动器更早地采取保护措施,限制 的短路电流和短路功耗,减小了关断尖峰电压,达到了设计要求。
2022-05-15 22:53:57 1.28MB IGBT; 短路; 软关断; 过电压
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 为了克服常用升压变换器在大功率、高输入输出变比等场合应用的限制,本文研究分析了一种新的电路拓扑结构及其工作方式,并对其进行了仿真验证。
2022-04-10 16:02:54 55KB 占空比 导通 波形图 关断
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提出了一种新型无源无损软开关全桥逆变器拓扑,并分析了该电路的工作原理,得出了其软开关工作条件。理论分析显示,此电路可以用较少元件实现桥臂四个有源开关器件的零电流开通与零电压关断,并且零电压电容上的能量直接回馈给负载、原理简单、效率较高,同时具有无源无损软开关功能、成本低、可靠性高和不用附加控制电路等优点。在理论分析的基础上,对所提出的电路进行了仿真和实验,仿真和实验结果都验证了理论分析的正确性。
2021-12-06 00:11:28 102KB 开关器件 零电流 零电压 零电压关断
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死区时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件。现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对死区时间的重要影响,选取结果实用性较差。通过理论研究给出了使LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS的死区时间选取原则,参照该原则详细描述并合理简化最恶劣工况下计及MOSFET关断瞬态的LLC变换器工作过程。在此基础上,通过对MOSFET手册中数据的分析运用,精确算得最恶劣工况下LLC变换器实现ZVS所需死区时间的最小值,最终给出LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS所需死区时间设定值的计算方法。该方法计算过程简单直观,实验结果亦验证了其正确性和有效性。
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了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例。 NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接地(为固定值),只需将G极电压固定值6V即可导通;若使用NMOS当上管,D极接正电源,而S极的电压不固定,无法确定控制NMOS导通的G极电压,因为S极对地的电压有两种状态,MOS管截止时为低电平,导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的,只是控制电路复杂,这种情况必须使用隔离电源控制,使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干,明显增加电路难度。
2021-11-26 12:43:29 82KB MOS管 开通 关断 文章
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随着WLAN规模和用户数量的增长,设备耗电特别是超闲AP业务空闲期的电量浪费问题日益突出。为了解决超闲AP 的耗电问题,深入研究了两种较成熟的动态射频管理技术(AP 整机定时关断和AP 射频通道定时关断技术)的原理及实施效果。经验证,这两种动态射频管理技术均具有省电、复杂度低、成本低、易管控的特点,为构建绿色高能效网络提供技术储备。
2021-11-22 21:54:17 1.8MB 无线局域网 接入点 节能 射频 定时 关断
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