匀胶工艺流程 匀胶设备立体图 匀胶单元的结构 匀胶单元运行设置 热板及冷板单元的结构 冷热板运行设置 AD单元的结构 AD单元运行设置 显影单元的结构 匀胶膜厚的控制 影响光刻胶厚度和均匀性的主要参数 显影单元的结构 显影喷头的类型 显影程序的设置 影响显影尺寸及均匀性的主要参数 排风气流对显影均匀性的影响 显影液流量对显影尺寸的影响 显影前烘烤温度对显影尺寸的影响 显影后烘烤温度对显影尺寸的影响 数据库系统

为了实现高成像要求，投影光刻物镜在设计时需要考虑膜层偏振效应的影响，并进行相应的分析和评价。首先介绍了基于琼斯矩阵的偏振像差理论，然后以一个数值孔径（NA）为0.75的投影光刻物镜为例，设计了相应膜系，系统分析了膜层引入的偏振像差，并在设计时对膜层引入的离焦项和球差项进行了间隔优化补偿，补偿前后标量波像差和质心畸变分别从68.92 nm 和3.76 nm 改善为1.08 nm 和0.38 nm，偶极照明模式下90 nm 密集线条对比度从0.082 提高为0.876，在此基础上，提出在设计时根据不同表面的入射角分布情况，采用组合膜系，同时控制P光和S光的振幅和相位分离，减小膜系引入的延迟和二次衰减等偏振像差，使得线条对比度提高了1.1%。

ArF光刻机偏振照明系统中需要采用偏振器件（沃拉斯顿棱镜），根据传统技术选用在193 nm波长透明材料设计沃拉斯顿棱镜，其分束角较小，或者分束角大时棱镜较长。为了解决这些实际问题，利用折射定律分析推导了由正晶体构成沃拉斯顿棱镜的分束角公式，还分析推导了由两种正晶体构成沃拉斯顿棱镜的分束角公式。经过分析比较，由两种正晶体构成沃拉斯顿棱镜的分束角比由单一正晶体构成沃拉斯顿棱镜有较大的提高。设计了一种用于193 nm波长的分束角达到约10°的偏振分光沃拉斯顿棱镜，另外还设计了一种用于193 nm波长的仅仅输出一束线偏振光的沃拉斯顿棱镜。这两种棱镜采用两种正晶体制作，棱镜长度适中，有利于偏振照明系统装置整体的紧凑化。

为了测量光学元件多层膜膜厚均匀性指标，基于面形检测对多层膜均匀性测量方法进行了研究。分析了均匀性的测量过程以及影响因素，评估了元件面形检测复现性对测量结果的影响，建立了多层膜结构的有限元模型，计算分析膜层内应力对基底面形带来的影响。基于高复现性面形检测装置进行了测量方法的实验验证工作，实验结果表明：元件面形测量口径范围内膜厚分布均匀性优于0.1 nm[均方根(RMS)值]；将测试结果转化为沿径向的轮廓分布结果，与基于反射率计的膜厚检测数据进行了对比，表明两种方法测试数据基本吻合，验证了基于面形检测方法评估光学元件多层膜均匀性的可行性。

研究一种步进扫描投影光刻机工作台扫描运动超精密轨迹规划算法及误差控制策略。在分析三阶扫描运动与步进运动 轨迹规划异同点的基础上，提出三阶扫描运动轨迹规划算法。针对扫描运动精确性与严格同步性要求，分析扫描运动轨迹规 划误差补偿的几个关键问题。根据扫描运动轨迹算法离散实现存在的误差，结合内部整数积分策略，提出扫描运动轨迹规划 加减速段与扫描速度稳定段运动距离的离散积分策略误差控制方法。此外，为克服切换时间圆整引起的扫描曝光匀速段位置 误差，提出一种基于常速扫描运动段位置修正因子的误差补偿方法。以上方法共同实现光刻机工作台扫描运动轨迹规划精度 控制。实例证明提出算法是有效和精确的。该算法成功应用于100 r蚰步进扫描投影光刻机工作台的超精密运动控制系统中。

分析了偶数点阵达曼光栅的设计原理与特性。利用数值优化方法，获得了一组64×64点阵达曼光栅解。光栅模版用电子束制版法制成，其最细线宽为2.5μm。用光刻法实现了这一位相光栅，并比较了不同位相光栅制作法的优缺点。原子力显微镜测得的光栅深度曲线与64×64点阵实验结果表明，此光栅结果接近理论值。

To understand this text there are some prerequisites. A basic foundation in lithography science is assumed. The SPIE Handbook on Microlithography, Micromachining and Microfabrication. Volume 1: Microlithography l provides a suitable introduction. It is also assumed that the reader has had some introduction to basic statistical concepts and statistical process control. It is my intention that this text be a self-contained tutorial on lithography process control for readers familiar with the prerequisite lithography science and basic statistical process control, although some subjects may involve a higher level of mathematical sophistication than others. The text covers the subject of lithography process control at several levels. Discussions of some very basic elements of statistical process control and lithography science are included, because, when trying to control a lithography process, a number of subtle problems arise that are related to fundamental issues. To most readers, the information presented on the foundations of statistical process control should be familiar. Nevertheless, it is useful to review the foundations of statistical process control, in order to clearly identify those circumstances in which the method may be applied, and where it needs to be applied with particular care. This inclusion of basic topics also allows the text to serve as an introduction to process control for the novice lithography engineer and as a reference for experienced engineers. More advanced topics are also included to varying

自问世以来的半个多世纪， 微电子和集成电路技术可谓发展神速， 其中光刻 技术的发展起到了重要推动作用。 而作为光刻技术发展的重要指标， 不断缩小的 关键尺寸则对如何改善产品线宽均匀度(Critical Dimension Uniformity， CDU) 等关 键参数提出了更高的要求。 光刻机焦平面偏差(Total Focus Deviation， TFD) 精度就 与产品线宽均匀度 CDU 的好坏有着紧密联系， 甚至会影响到产品的最小线宽。 因 此通过提高光刻机镜头的 TFD 精度， 可以达到改善产品线宽均匀度 CDU， 提高良 率的目的。

半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生产中需要进行20-30次的光刻，耗时占到IC生产环节的50%左右，占芯片生产成本的1/3。 此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶，就实现了电路图从掩模到硅片的转移。 负性光刻使用的光刻胶在曝光后会因为交联而变得不可溶解，并会硬化，不会被溶剂洗掉，从而该部分硅片不会在后续流程中被腐蚀掉，负性光刻光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。 光刻机涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术，是所有半导体制造设备中技术含量

浸没光刻机浸液温控系统设计分析与实现.pdf浸没光刻机浸液温控系统设计分析与实现.pdf浸没光刻机浸液温控系统设计分析与实现.pdf浸没光刻机浸液温控系统设计分析与实现.pdf浸没光刻机浸液温控系统设计分析与实现.pdf