完整英文电子版 IEC 60749-44:2016 Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 44:Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test method for semiconductor devices (半导体器件 – 机械和气候测试方法 – 第 44 部分:半导体器件的中子束辐照单事件效应 (SEE) 测试方法)。IEC 60749-44:2016 建立了测量高密度集成电路半导体器件上的单事件效应 (SEE) 的程序,包括具有存储器的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐射时的数据保留能力。 当设备被已知通量的中子束照射时,测量单事件效应灵敏度。 这种测试方法可以应用于任何类型的集成电路。
2021-07-23 15:01:58 719KB iec 60749-44 半导体 中子束