第四章 电容的建模
精确的 MOSFET 电容模型和 DC 模型的作用一样重要。本章就是要描述在 BISM3v3.2.2
中基于器件物理理论的本征电容和非本征电容模型。详细的模型方程在附录 B 中给出.
BISM3v3.2.2 的一个重要特征就是引进了一个新的本征电容模型（capMod=3 作为电容模型典
型值），考虑了由量子效应引起的有限电荷厚度，而这个效应对于薄栅氧 Tox COMS 技术来
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