### M350 Wafer Trim™ 概览与关键技术知识点 #### 一、M350 Wafer Trim™ 概览 M350 Wafer Trim™ 是一款由ESI公司开发的专业级激光修调系统,主要用于金属薄膜电阻的激光修调。该系统通过精确的激光切割技术来调整集成电路(IC)中的电阻值,从而达到设计要求的精度。根据提供的文档信息,我们可以了解到以下几个关键知识点: 1. **TRIM Solutions**:ESI提供了多种激光修调解决方案,包括M350 Wafer Trim、LT2200 & LT2210、LT3100 & LT3110等系列。这些解决方案覆盖了厚膜、薄膜以及芯片电阻的各种应用场景。 2. **M350 Wafer Trim™ 特性**:M350系统不仅支持薄膜修调,还涵盖了芯片电阻的修调。此外,它还支持厚膜和薄膜混合修调,适用于不同的电路需求。 3. **应用领域**:M350 Wafer Trim™ 的应用非常广泛,涉及医疗、国防/航天、汽车、消费电子、电信、测试/测量等多个领域。这表明了该系统的灵活性和适应性。 #### 二、M350 Wafer Trim™ 系统概述 M350 Wafer Trim™ 系统具有以下特点: 1. **CE 认证**:系统符合欧盟安全标准,确保在使用过程中的安全性。 2. **系统占地面积**:考虑到工厂空间利用效率,M350的设计考虑到了最小化占地面积的需求。 3. **Pad 对齐技术 (APTPA)**:这是一种垫片对齐技术,可以提高探针卡与晶圆之间的对准精度,从而提高修调的准确性。 4. **探针卡清洁功能**:为了保持探针卡的良好接触性能,M350配备了自动探针卡清洁功能。 5. **半晶圆处理能力**:系统能够处理部分晶圆,提高了设备的灵活性。 6. **胶带/薄框架支持**:支持不同类型的晶圆装载方式,如使用胶带或薄框架进行固定。 #### 三、M350 测试器集成 1. **ETI 增强型测试接口命令**:通过ETI命令集,M350能够与外部测试平台无缝集成,实现自动化测试流程。 2. **测试平台集成**:M350支持与各种测试平台的集成,包括但不限于高密度引脚(如512引脚)的应用场景。 #### 四、M350 项目案例 1. **高引脚计数项目**:针对512引脚以上的应用,M350展示了其在高复杂度电路修调方面的实力。 2. **与Invantest的合作项目**:M350参与了与Invantest的合作项目,这进一步证明了其在行业内的领先地位和技术实力。 #### 五、M350 修调工艺详解 M350 Wafer Trim™ 提供了多种修调工艺选项,以满足不同应用场景的需求: 1. **线性连接切断 (Linear Link Cut)**:适用于简单的修调需求。 2. **分流及梯形修调 (Shunt & Ladder)**:用于更复杂的电路结构。 3. **垂直切 (Plunge Cut)**:快速但精度较低的选择。 4. **双垂直切 (Double Plunge Cut)**:适用于需要高精度和低方阻的情况。 5. **L型切 (L-Cut) 及带微调刻度的L型切 (L-Cut with Vernier Cut)**:适用于多方阻情况下的高精度修调。 6. **蛇形切 (Serpentine)**:用于大幅增加电阻值。 7. **U型切 (U-Cut)**:提供高压隔离效果。 8. **扫描切 (Scan Cut)**:同样用于高压隔离。 9. **垂直切 (Plunge Cut)**:适用于长期稳定性要求较高的场合。 10. **多重垂直切 (Multiple Plunge)**:实现线性的分布特性。 M350 Wafer Trim™ 不仅是一款功能强大的激光修调系统,而且其丰富的修调工艺选项使得它能够在多个行业中发挥重要作用。无论是从技术角度还是从实际应用角度来看,M350都是金属薄膜电阻激光修调领域的佼佼者。
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基于 FPGA的实时图像直方图均衡增强设计
2023-04-12 23:07:33 488KB FPGA 实时图像
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本文介绍了Synopsys公司的VCS®用户手册,该手册对应的版本号为R-2020 12-SP2,发布于2021年6月。VCS®是一款验证工具,本手册详细介绍了其使用方法和相关文档,同时提供了版权声明和专有信息保护。本手册仅供Synopsys公司所有,未经授权不得使用。
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PCNSE (12 June 2022).pdf
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PCNSE (12 June 2022)_formatted学习文档手册.pdf
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PCNSE (12 June 2022)_formatted最新学习文档手册.pdf
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PaloAlto_PCNSE (10 June 2022) remark 0820学习文档手册.pdf
2022-10-17 14:04:23 3.1MB PaloAlto PCNSE
JESD209-4D, LPDDR4 JEDEC SPEC, June 1, 2021 最新版本,英文原版。 JEDEC JESD209-4D:2021 Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) 本规范的目的是为具有一个或两个通道的符合 JEDEC 标准的每通道 16 位 SDRAM 设备定义一组最低要求。 LPDDR4 双通道器件密度范围为 4 Gb 至 32 Gb,单通道密度范围为 2 Gb 至 16 Gb。 本文档使用以下标准创建:DDR2 (JESD79-2)、DDR3 (JESD79-3)、DDR4 (JESD79-4)、LPDDR (JESD209)、LPDDR2(JESD209-2) 和 LPDDR3 (JESD209-3) .
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2022-05-13 09:45:25 90.5MB JDK6 HP-UX PA_RISC
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