晶圆图的缺陷识别对于确定晶圆缺陷成因至关重要,特别是混合模式缺陷。我们在某晶圆制造厂采集了大量的晶圆图数据,这些晶圆图是通过对晶圆片上的每一个晶粒进行电学性能测试得到。但实际采集到各类型的晶圆图在数量分布上存在较大差异,为了保持各类型数据间的平衡,我们采用对抗生成网络生成了部分晶圆图。最终形成了约38000张的混合模式晶圆图缺陷数据集,用于识别混合模式晶圆图缺陷,并辅助晶圆制造工艺中缺陷成因的研究。 Wafer_Map_Label.bin Wafer_Map_Data.bin
2021-05-13 20:53:38 19.01MB 数据集
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悬臂式探针卡的外观及PCB板
2021-04-29 01:30:52 63KB 芯片测试 半导体测试 晶圆封装
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晶圆级芯片级封装由于其低成本和小尺寸因素而成为移动设备中使用的芯片封装形式的主流。 由铜-PI复合材料组成的再分布层通常会导致严重的晶圆翘曲,并且在加热过程中铜的塑性变形也起着重要的作用。 为了减少由铜层引起的晶片翘曲,提出了将铜厚膜/ Si复合材料冷却至极低温度(-196℃,通过液氮)的方法,并且在该过程之后,减小了翘曲。对于钝化的铜膜和空白的铜膜,分别降低了65%和93.5%。 根据测量结果和基于线性温度相关扩散能Q的模块,推导出低于环境温度的热力学响应。在初始加热过程中检测到清晰的线性应力恢复,这表明在取出样品后不久便出现了明显的应力松弛。液氮。
2021-03-08 20:06:00 914KB reduction of wafer warpage;
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半导体晶圆制造总流程
2021-02-05 14:04:02 29KB 晶圆
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EUV光刻技术-经济高效且适合大规模生产的工艺,晶圆被暴露于波长为13.5纳米的超紫外线(EUV)。通过这种方式,提高了芯片制造商的生产效率和利润。.mp4
2021-01-30 14:04:18 69.7MB EUV光刻技术
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很多年前的VB6代码程序,需要从晶圆厂的Promis系统导出工序数据才能够计算成本。当初是为了方便自己的工作而开发的。目前能不能运行偶也搞不清了。仅供VB6学习者参考。 这套系统,可以核算晶圆厂recipe成本核算(要知道晶圆的工序有几百道,工艺又多样化);通过核算的recipe实际成本,提出成本问题点;并可以安装客户的工艺,提供客户的成本报价。
2019-12-21 18:47:49 1.79MB 晶圆厂成本
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