1 引 言　　目前，在高达数GHz的RF频段范围内，广泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时，使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟，近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多，在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大，功率损耗大等缺点，凭借其低廉的价格，CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内，逐渐取代GaAs MESFET LNAs。　　由于LNAs通常位于整个接收电路的   级，由式（1）可以看出，   级的LNAs对于接收电路有很大的影响。所有在设计LNA电路时，应考虑降低噪

视频信号放大器工作原理剖析.docx

高频小信号调频放大器实验报告，利于大学生学习，尤其是电子专业

《射频小信号放大器电路设计》讲述了各种低噪声放大器的典型应用

本文将概述不同数字预失真技术，介绍一种创新性DPD线性化电路特有的自适应算法。

本文对高速运放进行列表汇总,并翻译了一个电流型运放AD811

本文给大家分享了一个宽频带高频信号放大器。

提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器（UWB LNA）。电路由窄带PCSNIM LNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成，采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺，并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明，在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW。在3 GHz～5 GHz的超宽带频段内，增益约为13.5 dB，输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB，噪声系数（NF）为0.875 dB～4.072 dB，三阶交调点IIP3均值为5.35 dB。

本文介绍了电容式麦克风前置放大器

桥式推挽功放电路图优缺点:优点：电源利用率（理想情况下）是100%，比OTL或OCL电路提高了50%。BTL输出功率是OCL或OTL的四倍。缺点：·晶体管数目最多，总损耗增大，致使转换效率降低，输入输出信号均无接地点，用时不十分方便