完整英文电子版 JEDEC JEP160：2011 Long-Term Storage for Electronic Solid-State Wafers, Dice, and Devices（电子固态晶圆、晶粒和器件的长期储存）。本标准审查了晶圆、管芯和封装固态器件的 LTS 要求。 用户应评估并选择最佳实践，以确保他们的产品将保持原样的设备完整性，并最大限度地减少与老化和存储相关的退化影响。

完整英文版 JEDEC JEP122H：2016 Failure Mechanisms And Models For Semiconductor Devices （ 半导体器件的失效机制和模型 ）。本标准提供了一份失效机制及其相关激活能或加速因子的清单，当唯一可用的数据是基于在加速应力测试条件下进行的测试时，可用于进行系统失效率估计。要使用的方法是失效率之和法。本标准还为可靠性建模参数的选择提供了指导，即函数形式、表观热活化能值以及对电源电压、基片电流、电流密度、栅极电压、相对湿度、温度循环范围、移动离子浓度等应力的敏感性。

进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作，沿着下述方向，开发与开关电源相关的产品和技术。 　　碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是禁带宽，工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、DNI结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率的半导体开关器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。　　  来源:ks99

八路抢答器Multisim仿真源文件+设计说明文档+AD原理图及器件清单: 元件清单.xls 原理图 参考设计报告.doc 抢答器.ms12 操作说明.doc 电路讲解.doc 设计思路.doc 八路抢答器设计思路 一、任务要求 1、总共有八位选手参与抢答； 2、当主持人没有按下开始时，任何抢答都无效； 3、当主持人按下开始按键后，开始30秒倒计时，此时任何选手都可以参与抢答； 4、当第一个选手抢答成功后，会显示选手的编号，同时倒计时停止，并且后面的其他选手抢答均无效； 5、当倒计时到最后五秒时，指示灯会闪烁，并且如果倒计时到0了还没有选手抢答，那么此次无效。 二、设计思路 本设计主要分成两大块电路：抢答电路和倒计时电路。 抢答电路要解决如下几个问题： 1、计算出选手的编号，这个可以采用8-3编码器。 2、要保证只有第一个选手的抢答是有效的，后面其他的无效，这个就需要采取锁存电路，当还没有任何人抢答的时候，锁存器是不生效的，处于直通的工作状态，当有第一个人抢答了，锁存器就开始起作用，将该号码固定下来，后面的即使有人抢答，其编号也无法通过锁存电路，实现该电路可以采用4个D触发器。前三个触发器用来输出选手编号，后面一个触发器用来控制锁存器的工作状态（是直通还是锁存），只需要让D触发器的CLK端控制得当，就可以实现锁存。 倒计时电路要解决如下问题： 1、秒脉冲产生电路，因为要以秒倒计时，所以需要一个秒脉冲电路，这个可以通过晶振分频或者555来搭建电路； 2、30秒的倒计时逻辑电路，可以通过两个十进制计数芯片级联形成； 3、倒计时电路跟抢答电路的联动，首先需要抢答开始的时候倒计时马上开始，抢答结束时，倒计时也要停止，这里只需要将抢答电路中的主持人开关信号跟最后一个D触发器的输出通过合适的逻辑电路来控制555的输出就可以做到。

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双极型与MOS半导体器件原理 1.半导体器件的物理基础 2.p-n结 3.晶体管的直流特性 4.晶体管的频率特性和功率特性 5.晶体管的开关特性 6.半导体表面特性及MOS电容 7.MOS场效应晶体管的基本特性 8.MOS功率场效应晶体管的结构和特性 9.小尺寸MOS器件的特性 欢迎大家共享资源。

设计一个能产生周期性阶梯波的电路，要求阶梯波周期在18ms左右，输出电压范围10V，阶梯个数5个。(注意：电路中均采用模拟、真实器件，不可以选用计数器、555定时器、D/A转换器等数字器件，也不可选用虚拟器件。) 对电路进行分段测试和调节，直至输出合适的阶梯波。 改变电路元器件参数，观察输出波形的变化，确定影响阶梯波电压范围和周期的元器件。通过分步骤完成仿真。

The DS90CR287 transmitter converts 28 bits of • 20 to 85 MHz Shift Clock Support LVCMOS/LVTTL data into four LVDS (Low Voltage • 50% Duty Cycle on Receiver Output Clock Differential Signaling) data streams. A phase-locked • 2.5 / 0 ns Set & Hold Times on TxINPUTs transmit clock is transmitted in parallel with the data streams over a fifth LVDS link. Every cycle of the • Low Power Consumption transmit clock 28 bits of input data are sampled and • ±1V Common-Mode Range (around +1.2V) transmitted. • Narrow Bus Reduces Cable Size and Cost The DS90CR288A receiver converts the four LVDS • Up to 2.38 Gbps Throughput data streams back into 28 bits of LVCMOS/LVTTL • Up to 297.5 Mbytes/sec Bandwidth data. At a transmit clock frequency of 85 MHz, 28 bits of TTL data are transmitted at a rate of 595 Mbps per • 345 mV (typ) Swing LVDS Devices for Low EMI LVDS data channel. Using a 85 MHz clock, the data • PLL Requires no External Components throughput is 2.38 Gbit/s (297.5 Mbytes/sec). • Rising Edge Data Strobe This chipset is an ideal means to solve EMI and • Compatible with TIA/EIA-644 LVDS Standard cable size problems associated with wide, high-speed • Low Profile 56-Lead TSSOP Package TTL interfaces.

包含的全部8份最新英文标准文件是： 1， IEC 62435-1：2017 电子元件-电子半导体器件的长期储存-第1部分：总则 2， IEC 62435-2：2017 电子元件--电子半导体器件的长期储存--第二部分：劣化机制 3， IEC 62435-3：2020 电子元件-电子半导体器件的长期存储-第3部分：数据 4， IEC 62435-4：2018 电子元件-电子半导体器件的长期储存-第4部分：储存 5， IEC 62435-5：2017 电子元件-电子半导体器件的长期存储-第5部分：芯片和晶圆器件 6， IEC 62435-6：2018 电子元件-电子半导体器件的长期储存-第6部分：包装或成品器件 7， IEC 62435-7：2020 电子元件-电子半导体器件的长期存储-第7部分：微机电器件 8， IEC 62435-8：2020 电子元件-电子半导体器件的长期储存-第8部分：无源电子器件

完整英文版 IEC 62435-1：2017 Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices - Part 1：General(电子元件-电子半导体器件的长期储存-第1部分：总则)。关于长期储存的IEC 62435-1:2017涵盖了长期储存的术语、定义和原则，可作为一种减少报废的策略使用。长期储存是指对于计划长期储存的产品，其持续时间可以超过12个月。此外，还涉及理念、良好的工作实践以及促进电子元件成功长期储存的一般手段。