建立了一个基于等效膜层法的极紫外光刻含缺陷掩模多层膜仿真模型。通过等效膜层法求解含缺陷多层膜无缺陷区域和含缺陷区域不同位置的反射系数，准确快速地仿真含缺陷多层膜的衍射谱。与波导法严格仿真相比，200 nm 尺寸时仿真速度提高9倍左右。与改进单平面近似模型和基于单平面近似的简化模型相比，该模型对衍射谱和空间像的仿真精度有了较大提高，并且仿真精度随缺陷尺寸和入射角的变化很小。以+1 级衍射光为例，6°入射时，与改进单平面近似模型和简化模型相比，该模型对衍射谱振幅的仿真误差分别减小了77%和63%。

VO2膜作为相变温度最接近室温的热致相变材料,相变前透过率高,探测器可正常工作,吸收来袭激光能量相变后透过率低,起到保护探测器作用,可用在激光防护领域。膜层厚度对透过率有很大影响,采用吸收膜的特征矩阵方法加以分析,通过VO2膜的折射率及消光系数等光学参数,计算出薄膜相变前后透过率。按照符合透过率相变前75%,相变后5%的薄膜,计算出厚度,结合对溅射产额和溅射速率的计算,可得到制备时间。在硒化锌基片上制备了VO2膜,用红外分光光度计测量出相变前后透过率为79.2%和12.3%。样品经轮廓仪测量得到的厚度与计算得到的厚度基本相符。

光在水中大尺度气泡上散射特性的研究多是基于Davis模型。该模型没有考虑到吸附膜层对光在气泡上散射的影响,而海水中的大多数气泡都有膜层附着,这些膜层会影响到气泡的光散射特性。本文从几何光学的角度出发,建立了吸附膜层气泡的体积散射函数简化公式。在此理论基础上,模拟计算了尺度远大于入射光波长的大气泡散射光强分布曲线,得出光照射下气泡上散射光强的远场特性,讨论了影响气泡散射光强分布的主要因素。并与无膜气泡光散射分布曲线比较,讨论了油膜膜厚、折射率等参量对气泡的光散射特性影响。得出结论：吸附膜层气泡的光强分布曲线与无膜气泡相似,但吸附膜层会削弱前向散射光,增强后向散射光。

根据GeC薄膜折射率可调的特点，采用磁控溅射技术，在Ge基底上沉积了不同折射率的GeC薄膜以及类金刚石(DLC)膜和红外双波段保护膜。利用红外光谱仪测试了样品的红外透射光谱，利用偏光显微镜和显微硬度计测量了样品的维氏硬度。结果表明，GeC,DLC以及红外双波段保护膜均能显著提高样品的显微硬度；红外双波段保护膜在3.7~4.8 μm和7.5~10.5 μm波段范围内的平均透射率均高于94%，样品硬度高于单层GeC薄膜和DLC薄膜。红外双波段薄膜样品通过了GJB2485-95规定的环境实验。

本文通过计算机叠代法,分析计算了一般所用的λ_m/4单膜系介质腔镜的色散,发现用这种腔镜难以补偿腔内脉冲的正啁啾.设计了一种双膜系介质镜,它具有补偿正啁啾所需的合适色散量φ(ω)=1.3×10~(-28)sec~2,用它代替一般腔镜,结果在没有附加任何其它色散元件情况下,直接从简单的碰撞锁模染料激光器获得30fs的脉冲输出.

光学薄膜是现代光学和光电系统重要的组成部分，在光通信、光学显示、激光加工、激光核聚变等高科技及产业领域已经成为核心元器件，其技术突破常常成为现代光学及光电系统加速发展的主因。光学薄膜的技术性能和可靠性，直接影响到应用系统的性能、可靠性及成本。如图1是光通讯技术中使用窄带滤光片调制不同的通讯通道示意图[1]。图2是激光核聚变系统中大量使用到的薄膜元器件[2]。随着行业的不断发展，精密光学系统对光学薄膜的光谱控制能力和精度要求越来越高，而消费电子对光学薄膜器件的需求更强调超大的量产规模和普通大众的易用和舒适性。

双色滤光片的膜系设计方法有多种，如自动优化设计、缓冲层和组合膜系设计、加厚间隔层的Fabry-Perot(F-P)膜系、双峰结构F-P 膜系的多次重复，以及具有分形结构的F-P 膜系设计等方法。但它们在特定通道带宽和通道间距要求的膜系设计中，或者在膜系的工艺可实施性方面存在一定的局限性。运用目标光谱拟合优化后的两个具有增透带的F-P 膜系相组合的设计方法，有效解决了较宽通道带宽和较大通道间距的双色滤光片的设计问题。采用Ge和SiO 两种材料，利用有限的38层薄膜，在中波红外波段设计出了波形良好的双色滤光片，其两个通道的相对带宽均为9%，两个通道中心波长位置比可以在1.4~5.0 的范围内进行调整，通带边缘陡度不大于2.0%。这种膜系结构的双色滤光片具有通带宽度和位置方便调控的特点，并有较强的可实施性。

半导体芯片掩膜OASIS流格式文件的定义标准。

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A new method for increasing laser induced damage threshold (LIDT) of dielectric antireflection (AR) coating is proposed. Compared with AR film stack of H2.5L (H:HfO2, L:SiO2 on BK7 substrate, SiO2 interfacial layer with four quarter wavelength optical thickness (QWOT) is deposited on the substrate b