在实际清洗处理中，常采用物理、或化学反应的方法去除，有机物主要来源于清洗容积、机械油、真空脂、人体油脂、光刻胶等方面，在实际清洗环节可采取双氧水或酸性溶液去除 ，氧化物主要是相应半导体单晶抛光片在自然含氧环境中形成的，且在后期会形成较为严重的化学缺陷。在实际清洗环节可采用稀氢氟酸或稀盐酸进行浸泡处理。
2021-06-26 15:02:39
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在实际清洗处理中，常采用物理、或化学反应的方法去除;有机物主要来源于清洗容积、机械油、真空脂、人体油脂、光刻胶等方面，在实际清洗环节可采取双氧水或酸性溶液去除 ;氧化物主要是相应半导体单晶抛光片在自然含氧环境中形成的，且在后期会形成较为严重的化学缺陷。在实际清洗环节可采用稀氢氟酸或稀盐酸进行浸泡处理。
2021-06-19 21:02:42
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单点金刚石车削技术被广泛应用于光学表面的超精密加工。然而，车削表面固有的周期性残留刀痕结构将增强表面散射效应，恶化元件光学性能。为了抑制散射以获得高质量光学表面，采用气囊抛光技术主动改变车削表面周期性刀痕结构。基于Taguchi正交试验，以表面粗糙度及功率谱密度的改善率为设计指标，分析获得了最优抛光参数。采用该最优参数对一精车表面进行了抛光试验，抛光后表面粗糙度Ra 由3.81 nm 降到1.42 nm，各空间频率功率谱密度大幅降低，同时表面的衍射条纹消失。试验结果验证了所采用的抛光及相应优化方法的有效性，具有重要的工程应用价值。
2021-03-03 21:08:22
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针对非晶硅薄膜沉积时金字塔沟壑处容易出现外延生长的问题，采用化学抛光液CP133对硅片表面进行了抛光处理。研究结果表明，抛光使得金字塔底部区域形貌由“V”型变成了“U”型，明显改善了非晶硅/晶体硅界面的钝化效果。抛光溶液温度低于30 ℃时难以发挥腐蚀作用，但当溶液的起始温度升高至35 ℃时，获得了较好的抛光效果。采用质量分数为1%的NaOH溶液制绒且抛光时间为30 s时，太阳电池性能较佳。
2021-02-22 10:04:49
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根据光学玻璃元件超精密抛光加工技术的需求，研究了磁性复合流体(MCF)抛光液成分配比及制备，并在此基础上结合不同抛光工艺参数实验分析BK7光学玻璃的抛光质量。研究不同成分配比下的磁性复合抛光头的物理表现，在MCF各成分质量分数为铁粉55%、水30%、氧化铈12%以及α-纤维素3%时，获得形状及稳定性最佳的MCF抛光头；采用该比例配制的MCF在自行研制的MCF抛光设备上对BK7玻璃进行定点抛光，对MCF抛光头正压力及BK7玻璃抛光后的表面粗糙度进行研究。通过实验数据分析发现抛光正压力随主轴转速的增大而增大，随磁铁偏心距的增大而减小，经过50 min定点抛光，表面粗糙度从10.2 nm降低到6.7
2021-02-07 16:03:25
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