各温区费米能级位置
（1）低温弱电离区：未完全电离区
（4）过渡温度区:完全电离区，开始有少量本征激发。
(3) 强电离区：完全电离区
(2) 中间电离区:未完全电离区
(5) 高温本征激发区：
2022-11-21 21:20:07
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半导体领域对靶材要求最高。WSTS（全球半导体贸易统计组织）数据显示，溅射靶材主要应用在平板显示、记录媒体、光伏电池、半导体等领域。其中，在溅射靶材应用领域中，半导体芯片对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，需要掌握生产过程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品。因此，半导体芯片对溅射靶材的要求是最高的，价格也最为昂贵。 溅射靶材的制备工艺主要包括熔炼铸造法和粉末烧结法。常用的熔炼方法有真空感应熔炼、真空电弧熔炼和真空电子轰击熔炼等。与粉末法制备的合金相比，熔炼合金靶材的杂质含量(特别是气体杂质含量)低，且能高密度化、大型化。但是，对于熔点和密度
2022-11-11 20:17:02
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为解决常用经验计算公式参数复杂、产热项考虑不足等问题，采用优化的激光器热模型分析了激光器连续工作时有源区温度的变化并进行了实验验证。通过分析有源区注入载流子产热机制，建立了替代传统的热源计算公式的经验计算公式，考虑了载流子通过激光器内部渐变异质结时的势垒电阻以提高焦耳热计算精度。制作了电极尺寸为10 μm、台面尺寸为20 μm的半导体激光器件并对器件热特性进行了模拟。由于未考虑热载流子注入效应，利用传统经验公式得出的有源区热功率密度比提出的优化模型偏低，因而理论模拟的器件内部温升也偏低。对激光器出光特性进行测试，推导出不同注入电流下激光器内部有源区的温升。测量与理论分析对比表明，采用经验公式得出的结果比实际测试结果偏低，而优化的热模型解决了该问题，利用该方法得出的有源区温升与测试结果最大偏差仅为0.2 K，且温升随注入电流的变化趋势一致。
2022-11-07 15:50:43
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