本文首先介绍了MCS-51单片机的存储器扩展，接着列举了6264的功能特点，依据6264的逻辑功能编制了Proteus仿真电路并设计了驱动程序，最后对本文的实验仿真效果进行了总结。

电子-探索者F407图片显示测试程序利用外置SRAM来动态分配内存.rar,综合电子技术正点原子技术支持板块

QDRII SRAM控制器的设计与FPGA实现，侯晓凡，，本文介绍了QDRII SRAM存储器标准的产生背景，详细讨论了其工作方式，接口时序和在不同应用环境下采用的时钟方案，并给出了利用FPGA来�

This document describes Altera TimeQuest timing constraints and analysis for synchronous and asynchronous interfaces， Including a sample project.

3、SRAM的实例 典型的静态RAM芯片有 6116（2KB×8位）、6264（8KB×8位）、62256（32KB×8位）、628128（128KB×8位）等 。 CMOS RAM芯片6264（8KB）： 主要引脚功能 工作时序 与系统的连接使用

随着半导体加工工艺的发展，晶体管的特征线宽越来越小，现已降到数十纳 米数量级。这一变化趋势在提高芯片集成度的同时提高了晶体管的工作速度，但 也加剧了晶体管阂值电压的波动，给SRAM的设计带来新的挑战。 论文以提高速度、降低功耗、减小面积和抑制工艺波动为主要目标，通过研 究65nmSRAM的结构，最终设计完成了一块1024x32的SRAM，其版图面积为 0.0376m耐，带Rc的后仿真的平均工作电流为4.3mA，cLK到Q的时间为 0.548ns。论文的主要研究内容如下: 一、分析研究了SRAM的多路选择架构。从理论上分析了SRAM多路选择 架构中一级架构和二级架构及其相应单边结构和双边结构的性能，指出随着灵敏 放大器特征数字的增加，二级架构的性能相对于一级架构的优势越来越明显;二 级架构的最优结构出现在其两级译码的两个特征数字相近时。该最优两级架构最 多可以使SRAM读取时间比传统一级架构减少33.6%。 二、分析研究了SRAM的时钟电路。从概率学角度分析比较了两种主流的 放电电路的性能，并通过100，000次蒙特卡罗的仿真证明了分析结果，最终选用 较优的一种构建了时钟电路。这个时钟电路很好地实现了SRAM各部分的协同 工作，并且具有在流片后再调节SRAM性能的功能。 三、分析研究了SRAM的译码电路。指出了译码电路设计中要考虑的众多 因素，说明了减少功耗、增加存取速度的译码电路的设计方法，分析介绍了logica effort理论在译码电路设计中的应用。并为非对称逻辑门建立了电路模型，分析 了其优势，指出了其在译码电路中的作用。

异步SRAM是128K×8位结构的1M位SRAM，我们以CY62l28为例进行说明。引脚配置如图所示，这是非常标准的配置，在其他生产商的许多产品中都能见到这种配置。在自制的SRAM主板上就使用了现成的ISSI引脚兼容产品。 　　图 CY62128的引脚配置 　　异步SRAM的各个引脚所表示的意思如下所述。各个控制输人与操作状态的关系如表所示。 　　表 SRAM的控制输入与操作 　　1.  A0～A16（地址） 　　用于指定希望访问的地址。由于是以128K×8位的结构作为对象的，所以地址线具有17根。SRAM不是通过特殊的存储器写人器写入的，而且对于地址也没有类似DRAM的刷新功

FPGA 读写SRAM存储verilog设计实验Quartus9.1工程源码+设计说明文件，可以做为你的学习设计参考。 module sram_test( clk,rst_n,led, sram_addr,sram_wr_n,sram_data ); input clk; // 50MHz input rst_n; //低电平复位 output led; // LED1 // FPGA与SRAM外部接口 output[17:0] sram_addr; // SRAM地址总线 output sram_wr_n; // SRAM写选通 inout[15:0] sram_data; // SRAM数据总线 //------------------------------------------------------- reg[25:0] delay; //延时计数器 always @ (posedge clk or negedge rst_n) if(!rst_n) delay <= 26'd0; else delay <= delay+1; //不断计数，周期约为1.28s //------------------------------------------------------- reg[15:0] wr_data; // SRAM写入数据总线 reg[15:0] rd_data; // SRAM读出数据 reg[17:0] addr_r; // SRAM地址总线 wire sram_wr_req; // SRAM写请求信号 wire sram_rd_req; // SRAM读请求信号 reg led_r; // LED寄存器 assign sram_wr_req = (delay == 26'd9999); //产生写请求信号 assign sram_rd_req = (delay == 26'd19999); //产生读请求信号 always @ (posedge clk or negedge rst_n) if(!rst_n) wr_data <= 16'd0; else if(delay == 26'd29999) wr_data <= wr_data+1'b1; //写入数据每1.28s自增1 always @ (posedge clk or negedge rst_n) if(!rst_n) addr_r <= 18'd0; else if(delay == 26'd29999) addr_r <= addr_r+1'b1; //写入地址每1.28s自增1 always @ (posedge clk or negedge rst_n) if(!rst_n) led_r <= 1'b0; else if(delay == 26'd20099) begin //每1.28s比较一次同一地址写入和读出的数据 if(wr_data == rd_data) led_r <= 1'b1; //写入和读出数据一致，LED点亮 else led_r <= 1'b0; //写入和读出数据不同，LED熄灭 end assign led = led_r; //------------------------------------------------------- `define DELAY_80NS (cnt==3'd7) reg[2:0] cnt; //延时计数器 always @ (posedge clk or negedge rst_n) if(!rst_n) cnt <= 3'd0; else if(cstate == IDLE) cnt <= 3'd0; else cnt <= cnt+1'b1; //------------------------------------ parameter IDLE = 4'd0, WRT0 = 4'd1, WRT1 = 4'd2, REA0 = 4'd3, REA1 = 4'd4; reg[3:0] cstate,nstate; always @ (posedge clk or negedge rst_n) if(!rst_n) cstate <= IDLE; else cstate <= nstate; always @ (cstate or sram_wr_req or sram_rd_req or cnt) case (cstate) IDLE: if(sram_wr_req) nstate <= WRT0

降低 VLSI 电路的功耗是当今的首要问题。 存储电路在电子小功率器件的设计中起着重要作用。 几乎每个数字系统都将内存作为其设计的重要组成部分。 高速电路在短时间内耗散大量功率。 在本文中，对传统 SRAM 单元进行了少量修改以降低动态功耗。 通过添加几个额外的晶体管，总电容降低了。 由于位线的充电和放电消耗的功率最大，因此可以使用6T单元和8T单元，通过在下拉路径中增加额外数量的晶体管来降低功率。 本文模拟了 6T SRAM 单元和 8T SRAM 单元，并比较了它们在功耗方面的性能。

fpga操作SRAM is61lv25616 的verilog程序