14-能源材料的第一性原理模拟

for windows系统 / 第一性原理计算

内容从基础到进阶共十九个专题模块，包括各类材料模型构建、参数设置、结构优化、收敛性测试、吸附与催化反应、电荷分析、表面催化反应计算等；

具有正交结构（Pbca-BN，空间）的完全四面结合的氮化硼（BN）同素异形体组：Pbca）通过第一性原理计算进行了研究。 在这项工作中，我们调查了密度泛函理论研究Pbca-BN的结构，弹性，电子性质和弹性各向异性局部密度逼近框架中采用超软伪势方法的三维方法（LDA）和广义梯度近似（GGA）。 根据我们的计算，我们发现Pbca- BN的体积模量为344 GPa，剪切模量为316 GPa，大的德拜温度为1734 K， 较小的位置比率0.14和60.1 GPa的硬度，从而使其成为具有以下特性的超硬材料： 潜在的技术和工业应用。 我们的计算表明，Pbca-BN在机械上是稳定，是一个宽带隙为5.399 eV的绝缘体。

黑色磷半导体纳米带中电荷迁移率的第一性原理预测

基于第一原理自旋极化密度泛函理论计算，研究了半氟化氮化镓（GaN）片材的相对稳定性，电子结构和磁性能。 最稳定的构型显示出铁磁（FM）基态，每个氟的磁矩约为1.0μB。 半金属铁磁性主要归因于电荷从N原子转移到F原子。 氟化导致N-2pz态和不饱和F-2p轨道不成对的自旋。 空穴介导的双交换负责GaN片中的铁磁性。 此外，仅氟化Ga边缘的GaN纳米带（GaNNRs）为FM。 这开辟了一条通往无金属磁性材料的道路，这种材料具有制造自旋电子器件和纳米磁铁的巨大可能性。

基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge 掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC 电学、光学特性进行了理论计算和分析。杂质形成能的计算结果表明，Ge 原子占据Si 位后能量更低，更加稳定。通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC 的价带顶主要由C 的2 p 态占据，而导带底由Si 的3 p 态占据。随着更多的Ge 掺入，导带底位置逐渐由Si 的3 p 态电子决定转变为Ge 的4 p 态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。比较介电常数发现，对Ge 掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC 简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9 eV 及3.5 eV。

第一性原理讲义

采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算了Ce，S单掺杂及Ce/S共掺杂锐钛矿型二氧化钛(TiO2)的能带结构、态密度和光学性质。结果表明：掺杂后晶格常数均变大，禁带宽度均减小，其中Ce/S共掺杂后由于S-3p电子轨道和Ce-4f电子轨道的共同作用引入了杂质能级，使得禁带宽度最小，吸收光谱发生红移；此外，Ce具有Ce4+和Ce3+两种可变价态，具有良好的电子迁移性质，阻止了电子和空穴之间的复合，预测了Ce/S共掺杂可提高TiO2的光催化性能。

这是vasp4.6软件包，有代码，有说明文档和一些讲义，代码没有验证过，哪位仁兄下载了验证下。