带隙ref-on-sky130 在Skywater的130nm pdk上实现带隙基准电路。 带隙参考设计 目录 介绍 这里提出了在Skywater的开源Craft.io设计套件（pdk）上实现CMOS带隙参考电路的示例。请查看reports文件夹中的'Stage_1_Introduction_to_BGR.pdf'文件以获取更多信息。 要求 设计规范和要求列在“ bandgap_circuit_requirements.pdf”中。 工具 开源工具用于设计和模拟带隙基准电路。 XSCHEM XSCHEM是一种原理图捕获和网表EDA工具。除了Xschem，还使用了Xschem_sky130版本，该版本经过优化可与Skywater的130nm pdk一起使用。请检查此链接以获取更多信息， 尽管不需要XSCHEM在此存储库中运行模拟文件，但可以使用内置的ngspice工具安装它并支持sky

文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18 μm的标准CMOS工艺，华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明，在tt工艺角下电路的启动时间为6.64 μs，稳定输出的基准电压Vref为 567 mV；当温度在-40℃~125℃范围内时，tt工艺角下基准电压Vref的温度系数TC为18.8 ppm/℃；电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时，tt工艺角下基准电压Vref的线性度为2 620 ppm/V；在10 Hz~1 kHz带宽范围内，tt工艺角下基准电压Vref的电源抑制比(PSRR)为51 dB；版图核心面积为0.001 95 mm2。

模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。

经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。现在有些带隙基准结构输出电压与带隙电压也不一致。

该程序是声子晶体求色散关系的matlab程序，声子晶体的结构属于固体+液体组合式

梯度带隙AlGaAs / GaAs导线光电阴极的光发射特性

第一性原理计算已用于研究带有侧链CH2基团的之字形石墨烯纳米带（ZGNR）的电子和磁性。 CH2将原始ZGNR的磁态抑制在12埃之内。 当CH2的相对数量减少时，位于每个边缘的具有CH2对的ZGNR会经历从非磁性状态到反铁磁性状态的转变。 能隙在非磁性状态下打开。 当仅在一侧边缘连接有CH2的系统时，它们会显示铁磁性或亚铁磁性状态，具体取决于CH2的数量。 CH 2基团同时饱和ZGNR的CS和7键，从而打开ZGNR的带隙并增强ZGNR的稳定性。 因此，基于相同的带结构但CH2基团的位置和数量不同，ZGNR提供了广泛的可能的电子和磁性。

二维声子晶体的三维模型下的能带计算，周期性结构，元胞带隙 上传资源需要重新计算 板类声子晶体，三维模型能带计算

介绍了带运放的的Bandgap的设计，并使用cadence ic5141对其进行仿真。

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