三相逆变器双极性SPWM调制技术的仿真 MATLAB仿真

基于MATLAB/Simulink的三相逆变器仿真模型，逆变器采用下垂控制（Droop Control）。

此逆变器模型使用（不连续）DPWM0 调制技术。 DPWM0 是 SVPWM 技术的一种变体，用于降低逆变器的开关损耗。 模型中使用了一个简单的基于 PI 的电压控制器。 逆变器 LC 滤波器参数的调整不是最佳的，但模型的所有性能都很好。

介绍了常见的驱动器电流采集方案，并且对各个方案进行了对比说明，指出适应场合，使用条件很是值得学习参考。讲的很透彻直观。

这组模型和脚本演示了 SHEPWM 的工作原理。 Simulink 模型根据预先计算的 SHEPWM 角度和调制指数为两电平逆变器生成脉冲。 提供了三种型号，输出基频的每四分之一周期有 3、5 和 7 个开关角。 模型具有预加载功能，可在模型启动时计算角度。 这些模型还具有具有可比频率载波的正弦三角 PWM，以展示 SHEPWM 在相对于输出基频的低开关频率下的优势。 对于每四分之一周期的 5 和 7 个角度，有四种角度解，有些比其他的更好。 在给定的脚本中，为每种情况提供了2套（3,5和7脉冲）。 预加载函数也作为 .m 文件单独提供，并附有关于每次迭代的 Newton Raphson 方法初始值的注释。 SHEPWM 等式中使用的表达式取自以下参考资料。 VG Agelidis，A。Balouktsis，I。Balouktsis和C. Cossar，“用于消除谐波的PWM双极性波形的多

高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析pdf,相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET 逆变器的功率密度，探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积， 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。 随着开关频率从数十 kHz 逐渐提升至数百 kHz，软开关逆变器不仅能够维持较高的转换效

版本MATLAB 2016B，电压外环， 电流内环， PI控制

采用状态空间法对三相逆变器进行建模；采用零极点配置法整定PID参数构建双闭环控制。

三相逆变器驱动三相异步电机-untitled2.mdl 三相逆变器驱动三相异步电机

matlab开发-带DPWM0调制的三相逆变器。该逆变器模型采用DPWM0调制技术。