Consensus control of nonlinear leader-follower multi-agent systems with actuating disturbances

这本书主要介绍非线性系统系统分析的理论和方法

f16manual.pdf Nonlinear F-16 Model Description F16非线性模型的详细介绍，内含有全部动力学模型的公式模型，方便于仿真系统的搭建，仿真必备

鲁棒非线性回归：使用维纳模型和稀疏性优化的鲁棒非线性回归

第一章介绍了自抗扰所能处理的非线性系统，第二章是跟踪微分器的收敛性证明，第三章是扩张状态观测器对各种非线性系统的收敛性证明，第四章讨论基于ＴＤＥＳＯ的反馈闭环系统的收敛性，第五章是ＥＳＯ及其下三角系统的镇定收敛性讨论。 每章辅以大量的数值试验并有文献说明和待解决的问题，本书可以作为初学者研究生的教科书和研究者的参考书

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matlab求导代码估算瞬时能量 收集M文件（计算机代码）以实施瞬时能量测量，包括中的“非线性能量算子”，如中所述。 需要Matlab或Octave编程环境。 更新（2019年9月）：该代码的Python版本位于 内容 概述 实现估算频率加权瞬时能量的方法。 实现Teager–Kaiser运算符，通常称为非线性能量运算符，并在参考文献中提出了类似的频率加权运算符。 对于离散信号x（n），简单定义了Teager-Kaiser运算符，如下所示： Ψ[x(n)] = x²(n) - x(n+1)x(n-1) 拟议的能源措施定义为 Γ[x(n)] = y²(n) + H[y(n)]² 其中y（n）是x（n）的导数，使用中心有限差分方程y（n）= [x（n + 1）-x（n-1）] / 2估算，而H [·]是x（n）的离散希尔伯特变换。 参考包含更多详细信息。 快速开始 下面的示例为测试信号（两个正弦信号的和）生成Teager-Kaiser运算符和建议的包络-微分运算符，将以下代码剪切并粘贴到Matlab（或Octave）中： % generate two sinusoidal signals:

4．3多基线测向算法 利用多条基线可以消除模糊性，包括消除镜像模糊性和由相位测量引起的模 糊性。下面给出的算法不区分测向模糊性是哪一种，同时进行去模糊处理。 考虑两条不平行的基线，假定他们的长度分别为DJ和Dj，并设这两条基线 法线与十x轴的夹角分布为rp,和竹。当来波方位角为rPo时，利用两条基线分别测 出了相位差"。和y扣，反演出两基线测到的入射角主值∥。和卢，0表示为： fl,o=sin-l盟2xD,(4-12a、 tim=sin-1荔,’．万I／／j．o r4-12b) 根据相位差，由(4—8)式可确定一组方位角值识，和纪。，而实际的方位角‰一 定包含在其中，有 万 ． 纪m 2能+-ff—Sill (sinfl,舯，争 (4—13a) ％2砟+争sin弋sin办棚告) ⋯3b) 方程(4-13)给出的仅仅是基线一侧的模糊角，在基线的另一侧还有沿着该条 基线对称分布的镜像模糊角。根据(4—9)式，基线单侧模糊角数分别为m，和m，，

5．1．2长短基线联合测向 五元阵中相邻天线两两也可组成5条基线，并用天线编号表示为1—2，2—3， 3．4，4．5，5．1。这5条基线比间隔天线组成的基线要短一些，称为较短基线。下 面给出同时使用5条较长基线和5条较短基线测向的计算方法，此时拥有10项 相位信息而不是5项相位信息。 首先求出较短基线的相关公式。较短基线对应的理想相差为 y品=一2kRsin36·sin(Ijo一36) l；c，墨=2kRsin36。-sin(q'+72‘) y品=一2ksin36·sin々o (5-12) 坨=2k sin36·sin(o-72) 蛇=一2kR sin36·sin(q，+36 1 对(5-12)进行归一处理，两边同时除以系数2kReos36。，可得 蛇⋯sin(rp 36。) 驴墨=sin(tp+72。) 驴三=一simp。 (5—13) 矿品=sin(q，一72。) 或=一sin(q，+36。) 设5条较短基线实测相位差分别为矿。y：，，】；c，。妒。，，y"除以系数 2kRcos36。归一化后为蛾2，妒Ⅲ驴3d，矿45，矿5l。

Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques 剑桥 Achieve accurate and reliable parameter extraction using this complete survey of stateof- the-art techniques and methods. A team of experts from industry and academia provides you with insights into a range of key topics, including parasitics, instrinsic extraction, statistics, extraction uncertainty, nonlinear and DC parameters, self-heating and traps, noise, and package effects. Learn how similar approaches to parameter extraction can be applied to different technologies. A variety of real-world industrial examples and measurement results show you how the theories and methods presented can be used in practice. Whether you use transistor models for evaluation of device processing, need to understand the methods behind the models you use in circuit design, or you want to develop models for existing and new device types, this is your complete guide to parameter extraction.