本文档详细介绍了dram的历史发展中出现的不同技术，以及技术对应的解决方案 这是最详细的介绍, 把基本DDR 到DDR5，LPDDR 到LPDDR5的所有技术都有涉及. 本文花费周期约一年，记录DDR系列和LPDDR系列重要技术的来源和内部原理， 掌握它们会对于理解dram技术有非常大的帮助. 比如: 1 prefetch和burst length的关系 2 ODT技术的阻抗匹配内幕是什么? 3 LPDDR4 LVSTL IO模型的优点 ...... ** 行业标准： 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug，spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问，可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意，可线下联系作者申请退款，作者就有这样的自信敢承诺！ 如对内容质量有疑问，可提前私信咨询。

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This document defines the LPDDR4 standard, including features, functionalities, AC and DC characteristics, packages, and ball/signal assignments. The purpose of this specification is to define the minimum set of requirements for JEDEC compliant 4 Gb through 32 Gb for x16x2channel SDRAM devices. This document was created using aspects of the following standards: DDR2 (JESD79-2), DDR3 (JESD79-3), DDR4 (JESD79-4), LPDDR (JESD209), LPDDR2 (JESD209-2) and LPDDR3 (JESD209-3).

RK_EVB_SOCBOARD_RK3399_LP4D200P232SD6,DDR设计文档.

完整版JESD209-4-1 LPDDR4X 协议规范 JANUARY 2017 积分自动改为了15积分，现改为5积分。

This document defines the LPDDR4 standard, including features, functionalities, AC and DC characteristics, packages, and ball/signal assignments. The purpose of this specification is to define the minimum set of requirements for a JEDEC compliant 16 bit per channel SDRAM device with either one or two channels. LPDDR4 dual channel device density ranges from 4 Gb through 32 Gb and single channel density ranges from 2 Gb through 16 Gb. This document was created using aspects of the following standards: DDR2 (JESD79-2), DDR3 (JESD79-3), DDR4 (JESD79-4), LPDDR (JESD209), LPDDR2 (JESD209-2) and LPDDR3 (JESD209-3).

主要是LPDDR4的JEDEC标准和相关理解的地方都在PDF中做了备注，给有需要的小伙伴们

瑞芯微RK原厂3399+LPDDR4 336球参考原理图 PCB Allegro

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