完整英文电子版 JEDEC JESD22-A103E.01：2021 High Temperature Storage Life（高温储存寿命）。本测试适用于所有固态设备的评估、筛选、监控和/或鉴定。 高温存储测试通常用于确定时间和温度在存储条件下对热激活故障机制和固态电子设备（包括非易失性存储设备）的故障时间分布的影响（数据保留故障机制）。 热激活失效机制使用 Arrhenius 方程进行建模以进行加速。 在测试期间，使用加速应力温度而不施加电气条件。 该测试可能具有破坏性，具体取决于时间、温度和包装（如果有）。

完整英文电子版 JEDEC JESD22-B118A：2021 Semiconductor Wafer and Die Backside External Visual Inspection（半导体晶圆和芯片背面外部视觉检测）。半导体晶圆和裸片背面外部目视检查是对已处理的半导体晶圆或裸片的外部非活性表面区域（以下称为背面）的检查。 此检测方法适用于组装前的产品半导体晶圆和裸片。 该测试方法定义了执行标准化外部目视检查的要求，是一种非侵入性和非破坏性检查，可用于鉴定、质量监控和批次验收。 为第 6 条元素提供保证的替代检查方法或技术是可接受的（例如，功能测试、自动检查设备、在线制造操作等）。 本测试方法适用于： • 半导体晶圆和芯片的背面检测。 为外部目视检查而取样的晶圆和模具必须代表最终产品。

完整英文电子版 JEDEC JESD22-A120C：2022 Test Method for the Measurement of Moisture Diffusivity and Water Solubility in Organic Materials Used in Electronic Devices （电子设备用有机材料中水分扩散率和水溶性测量的试验方法）。本测试方法的目的是提供一种方法来确定电子设备包装中使用的有机材料的吸湿性能。 本标准详细说明了用于电子设备包装的有机材料中湿气扩散性和水溶性的特征散装材料特性的测量程序。 这两种材料特性是塑料封装的表面贴装器件在暴露于湿气和高温回流焊后有效可靠性性能的重要参数。

完整英文电子版 JEDEC JESD22-A110E.01：2020 Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST) -高加速温度和湿度应力测试 (HAST)。执行高度加速温度和湿度应力测试的目的是评估非密封封装固态器件在潮湿环境中的可靠性。 它采用严酷的温度、湿度和偏压条件，加速湿气通过外部保护材料（密封剂或密封）或沿着外部保护材料与穿过它的金属导体之间的界面渗透。 应力通常会激活与“85/85”稳态湿度寿命测试（JEDEC 标准编号 22-A101）相同的失效机制。

包含JESD22-Axxxx和JESD22-Bxxxx两个系列全部共38份最新英文电子版标准文件， 如: 1, JEDEC JESD22-A100E：2020 循环温度-湿度-偏差与表面凝结寿命测试 2, JEDEC JESD22-A120C：2022 电子设备用有机材料中水分扩散率和水溶性测量的试验方法 3, JEDEC JESD22-B109C：2021 Flip Chip Tensile Pull（倒装芯片拉伸强度） 4, JEDEC JESD22-B118A：2021 半导体晶圆和芯片背面外部视觉检测 ..... 具体也可参照Blog: https://editor.csdn.net/md/?articleId=117413710

JEDEC---HBM2(High Bandwidth Memory DRAM)

JEDEC DDR5 Spec pdf

JEDEC-DDR4 Spec PDF

完整英文电子版 JEDEC JESD209-5B：2021 Low Power Double Data Rate 5(LPDDR5) -低功耗双倍数据速率 5(LPDDR5)。本文档定义了 LPDDR5 标准，包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。 本规范的目的是定义符合 JEDEC 的 x16 单通道 SDRAM 设备和 x8 单通道 SDRAM 设备的最低要求。 LPDDR5 设备密度范围从 2 Gb 到 32 Gb。 本文档使用以下标准创建：DDR2 (JESD79-2)、DDR3 (JESD79-3)、DDR4(JESD79-4)、LPDDR (JESD209)、LPDDR2 (JESD209-2)、LPDDR3 (JESD209-3) 和 LPDDR4（JESD209-4）。

完整英文电子版 JEDEC JESD209-4D：2021 Low Power Double Data Rate 4(LPDDR4) - 低功耗双倍数据速率 4(LPDDR4)。本文档定义了 LPDDR4 标准，包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。 本规范的目的是为具有一个或两个通道的符合 JEDEC 标准的每通道 16 位 SDRAM 设备定义一组最低要求。 LPDDR4 双通道器件密度范围为 4 Gb 至 32 Gb，单通道密度范围为 2 Gb 至 16 Gb。 本文档使用以下标准创建：DDR2 (JESD79-2)、DDR3 (JESD79-3)、DDR4 (JESD79-4)、LPDDR (JESD209)、LPDDR2(JESD209-2) 和 LPDDR3 (JESD209-3) .