半桥驱动MOS管电机驱动板设计 包含原理图PCB、磁悬浮代码等

基于DRV8301的BLDC半桥驱动电路设计。文档很详细，包括了选器件主要选型参数。

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本设计MOS管STP75NF75 H桥驱动仿真电路在48V直流电机驱动上使用非常普遍。该分立元件STP75NF75MOS管驱动电路适用频率可达30kHz左右，稳定可靠，在成本局限的产品上可代替IR21XX驱动IC。这个电路已经经历了多年的商业化检验，保证你按照电路里的参数制作就可正常工作。MOS管STP75NF75 H桥驱动仿真电路截图: 制作时要注意以下几点: 1）如果你的电机工作电压低于等于12V可能需要调整上桥臂晶体管的工作状态。 2）自举电容C5 C6要使用低漏电的。 3）D5 D6如成本允许应使用快恢复型二极管如FR157。 4）主滤波电容C11 C12必须是高频低阻电容，否则纹波容易引起发烫。 5）C9 C10耐压应是电源的至少一倍。 6）注意布线！！！尤其是高频部分（参考IR的一系列布线文档） 7）由于使用了自举电路，启动时必须先开下桥再开上桥（PWM只能在下桥上加，上桥只加开关信号）；而且PWM不能大于95%，否则重载启动、短路测试时烧你没商量（这点连IR21XX也是一样）。

步进电机双H桥驱动电路仿真；步进电机双H桥驱动电路仿真；步进电机双H桥驱动电路仿真

MOS管全桥驱动，适合各种直流电机的驱动，驱动电流可达50A以上（具体好大没有测试过，只是理论值），适合飞思卡尔比赛，毕业设计等

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使用Multisim软件实现IR2110对全桥电路的控制，原理清晰，可供参考学习 软件是14版本 参照IR2110典型电路搭建

内含HIP4082全桥驱动原理图和驱动，HIP4082是中频、中压h桥N通道MOSFET驱动IC，可提供16个铅塑料SOIC (N)和DIP封装。针对PWM电机控制和UPS应用，HIP4082 h桥驱动使基于桥的设计变得简单和灵活。操作高达80V，该设备最适合中等功率级别的应用。

IR2104S半桥驱动MOS管电机驱动板设计心得: （1）驱动电路方案为经典的半桥驱动IR2104S加N沟道MOS管IR7843，MOSEFT内部有续流二极管，听说是寄生的（不知对不对），所以外加了肖特基二极管1N5819；（2）半桥驱动IR2104S自己可以通过自举升压来获得足够的栅压，但是觉得自举电容参数不好精准的确定，而且敏感，故另外外加升压电路，升压电路也为MC34063的经典电路，成熟稳定，用着放心。只是注意电感的选择，应该选择功率电感。（3）隔离也是很重要的，本来想采用光耦隔离，但是想到这是一个单电源系统，光耦隔离未必效果最佳，最重要的一点是，光耦必须选择高速光耦，上网一查，他们的封装都巨大，为了板子的美观（有可能也是节省板子面积少点打板费，这几天饭都吃不， 哎！）。最后选择的是74LVC245，以前都是用244的，第一次用这个，当然也是因为他的封装面积小。（4）正反转指示灯必须的加嘛。 我把磁悬浮的视频也给大家分享下吧，姑且当做是对本驱动板的测试视频吧，这个主控板是XS128，调好后会很稳定的。见“相关文件”下载磁悬浮代码。代码写得不是很好，很简单，仅供参考。 这个是视频: IR2104S半桥驱动MOS管电机驱动板实物展示: IR2104S半桥驱动MOS管电机驱动板电路 PCB截图: