摘要：基于雷达极化信号处理技术，设计了一种多DSP方案，实现对雷达极化信号两对IQ的采集和极化处理。主要包括：采集和校正、极化参数估计、极化滤波、极化检测、PCI接口等功能单元。介绍通过总线开关多DSP共享数据的方法、多DSP之间的时序控制、PCI访问存储器等几个难点问题。 系统设计的背景是接收和处理L波段脉冲体制窄带警戒雷达变极化改装后输出的双路IQ信号。双路正交天线接收和下变频解调系统的框图见图1。水平IQ信号反映了雷达目标回波水平方向反射的幅度和相位信息，垂直IQ信号反映了雷达目标回波垂直方向反射的幅度和相位信息。综合双路IQ信息，可以得到雷达目标回波的极化状态[1-3]。极化处理单元的

1.2 产品简介 UT-Exynos4412开发板是一款功能极为强大的高端ARM Coretex-A9开发平台，采用Samsung最新的Exynos4412（Exynos4412 Quad），主频达到1.4~1.6GHz；Exynos4412的主要特性为：QuadCore、WXGAresolution、1080pHDTVdisplay throughoutHDMI、I2Ssupports、USBHost&Device2;.0、HSICinterface、LPDDR2PackageonPackage、Chip2Chip等；内建32/32KB数据/指令一级缓存，1MB的二级缓存；GPU采用的是Mali 400MP四核心图形处理器，支持2D/3D图形加速；内建HDMI1.4（3D feature）兼容HDCP1.1和DVI1.0；内部的MFC支持MPEG-2/4、H.263、H.264等的编解码和VC1的解码。硬件编解码器实现视频会议和数字电视。该芯片采用了最新的32nm HKMG的先进工艺制程。相比于之前的45nm工艺，功耗方面有了明显的降低，即使是四核，同等测试下的功耗比双核的4210低了40%。四核处理器在达到双核两倍性能的同时，功耗却只有双核的八成，续航和发热都可能会大大改善。目前三星最新的N7100 GALAXY Note2和GALAXY SIII系列手机采用的就是此款芯片，表现相当出色。Exynos4412处理器采用0.4mm pitch值的12x12平方毫米FCMSP封装，降低PCB加工工艺要求。 UT-Exynos4412开发板本着完全展现Exynos4412芯片功能，结合客户反馈与广泛调研，设计而成，其功能全面、接口丰富，完美展现了Samsung Exynos4412芯片的强大，主要面向企业用户进行产品开发过程中，对Exynos4412芯片的性能评估、设计参考使用。其丰富的外设接口及强大的性能，也成为高校、科研机构等单位的最佳科研设备；可为无线通讯、个人导航、摄像、移动游戏音乐视频、PDA、医疗器械、车载、广告机、手机等提供前期测试平台，无论从功能、性价比、调试飞线等方面，都可方便进行，大大缩短公司产品的研发周期。 UT-Exynos4412开发板堪称市面上最强大的ARM平台，采用Exynos4412的主芯片，具有更高的主频和更丰富外设，配置2GB DDR3的内存及8GB iNAND存储，具有稳定性强、可靠性高，能适用于对性能和处理能力有更高要求的嵌入式系统应用场合。 UT-Exynos4412开发板可以选配有无线WIFI模块、Bluetooth、GPS、Camera、3G等模组，支持HDMI1.4（1080P/60Hz）显示，客户可以直接从开发平台中汲取完整的产品信息，甚至可以直接用于后续的产品开发中，完全不同于一般意义的开发平台。 UT-Exynos4412开发板最新的操作系统：Google Android4.0.4 ICS，提供平台完整的源码，支持WIFI、Bluetooth、GPS、Camera、HDMI、3G等选配模块。

数字调谐滤波器原理及方案、电子技术,开发板制作交流

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摘要摘要：AD7891是美国ADI公司推出的一种12位数据采集系统（DAS），它具有并行和串行两种工作模式，适合与各种微处理器接口。采用单电源工作，功耗低。内含

摘要：提出了一种基于重复控制和电网电压前馈控制相结合的光伏并网发电系统。重复控制可以抑制周期性的负载扰动，改善稳态情况下的并网电流波形；同时，采用电网电压的前馈控制来抵消电网的影响，使系统近似成为一个简单的无源跟随系统。实验结果表明，控制策略简单有效，系统的并网电流波形较好。关键词：并网；重复控制；前馈控制0   引言   近年来，随着能源消耗的大规模增加，可再生能源受到了广泛重视，各种并网发电装置的应用逐渐增多。然而，随着投入使用的并网逆变装置增多，其输出的并网电流谐波对电网的污染也不容忽视，根据相关标准[1]，并网逆变器输出的电流波形总谐波畸变率应该<5％，各次谐波畸变率应<3％。基于此，

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一、调幅电路调幅电路是把调制信号和载波信号同时加在一个非线性元件上（例如晶体二极管或三极管）经非线性变换成新的频率分量，再利用谐振回路选出所需的频率成分。调幅电路分为二极管调幅电路和晶体管基极调幅、发射极调幅及集电极调幅电路等。通常，多采用三极管调幅电路，被调放大器如果使用小功率小信号调谐放大器，称为低电平调幅；反之，如果使用大功率大信号调谐放大器，称为高电平调幅。在实际中，多采用高电平调幅，对它的要求是：（1）要求调制特性（调制电压与输出幅度的关系特性）的线性良好；（2）集电极效率高；（3）要求低放级电路简单。1、基极调幅电路图1是晶体管基极调幅电路，载波信号经过高频变压器T1加到BG的基极

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