Tonks-Girardeau模型是1 + 1维N个不可渗透的玻色子的量子力学模型。 Vandermonde行列式提供基态的精确N粒子波函数，或者等效于位置本征态的矩阵元素。 我们考虑这些矩阵元素的大N限制。 我们提出了一个装箱处方，该装箱处方可在不依赖N的时间内计算矩阵元素的前导项，因此适合此限制。 从这个意义上讲，它允许人们在场本征态的基础上解决强耦合连续量子场理论的基态。 例如，我们针对密度均匀的状态以及由两个密度不同的区域组成的状态计算矩阵元素。

我们研究在13和100 TeV质子-质子对撞机上涉及弱电玻色子的双部分散射（DPS）过程。 具体来说，我们专注于三个DPS通道：W玻色子加两个射流（W⊗jj），Z玻色子加两个射流（Z⊗jj）和等号W对产生（W±⊗W±）。 我们证明Z⊗jj过程并没有引起太多关注，它是测量有效横截面σeff的最佳渠道。 在100 TeV对撞机上，三个DPS通道（尤其是W±⊗W±产量）中σeff测量的精度显着提高。 我们主张对三个DPS通道的组合分析可以测试有效横截面σeff的普遍性。

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对于电容式和热式MEMS传感器来说，两种技术最大的区别在于其不同的传感技术。

基于D0辐射衰减模式的实验测量结果，我们提出了一个模型来研究衰减，方法是通过矢量介子优势假设建立与（V =ρ0，ω）衰减的联系。 为了正确地执行此操作，我们使用了局部隐式规范对称方法中的拉格朗日方法来说明Vγ转换。 结果，我们发现支化比率与Belle和BaBar合作报告的实验值完全吻合。

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