在无外场的情况下,自由边界的 方格上,存在着某种粒子,它具备三种自旋状态-1,0,1。我们认为t_initial=200后系统达到稳定态。系统演化至t_max=1200步。 (1)分别绘制单粒子平均磁矩 、单粒子平均能量 与温度 之间的关系图。观察并讨论图中现象。 (2)根据(1)中的现象,合理选取不同的T,分别绘制系统达到稳定态后的演化过程中,系统总磁矩的分布曲线
2021-11-18 18:33:32 6KB 蒙特卡洛 晶格 磁矩
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unityshader 晶格化消散
2021-11-04 14:07:53 11.51MB unityshader晶格化消
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行业资料-电子功用-Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法
2021-09-10 09:02:20 429KB
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晶格中超冷原子自旋纠缠的研究 移动安全 网络安全 自动化 移动安全 大数据
操控磁性原子进入半导体晶格.pdf
2021-08-30 14:10:55 81KB 半导体 导体技术 导体研究 参考文献
目的这是马萨诸塞大学洛厄尔分校固态课程中计算机项目的 matlab 解决方案, 2007 年左右。 问题考虑直接和倒数二维矩形 Bravais 晶格的生成,其间距 'a' 平行于 x 轴,'2a' 平行于 y 轴(边 a 和边 2a 的原始单位单元)。 编写一个程序来: 1) 计算距原点给定(输入)距离的直接空间和倒易空间中每个格点的坐标。 2) 计算 Wigner-Seitz 单元和第一布里渊区的角坐标。 3) 确定角点的坐标和从原点到角点、从原点到边缘中心、从边缘中心到第一象限角点的直线方程(高对称方向) Wigner-Seitz细胞和第一个布里渊区。 运行时案例该作业要求将输入距离设置为最近邻距离的三倍。 然后计算: 表1:直接晶格的坐标表 2:倒格的坐标表 3:与 Wigner-Seitz 单元格点对或原点和边缘点相关的线表 4:与第一个布里渊区的点阵点对或原点和边缘点相关的
2021-08-24 12:54:07 35KB matlab
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行业-电子政务-具超晶格电流扩展层的横向接触蓝光发光二极管.zip
采用边界元法研究了具有非完好界面条件的二维三角晶格声子晶体的带隙特性。结合Bloch周期原理, 针对二组元三角晶格固-固体系声子晶体推导了含 非完好界面条件的边界元特征值方程。基于该方程, 计算了含有不同截面散射体(圆形截面、椭圆截面、正方截面)的能带结构, 讨论了晶格对称性对能带结构 的影响; 并且分析了圆形截面散射体填充比的变化对带隙位置及宽度的影响。通过与其它计算方法的结果比较, 说明边界元法可以有效准确地计算具有不同界 面条件和不同散射体形状的声子晶体的能带结构。而且, 非完好界面条件的声子晶体可以在低频打开完全带隙, 尤其圆形截面最为明显。
2021-08-09 17:19:59 1.73MB 声子晶体 边界元法 非完好界 能带结构
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本文利用平面波展开法和有限元法计算了二维正方晶格钨-硅橡胶声子晶体的能带结构,分析了弹性波在嵌有周期性排列的相同孔径的圆柱形钨块声子晶体结构中的传播特性。对能带结构中出现的特殊现象,例如狄拉克点以及狄拉克点附近的简并态等进行了分析。给出了三维能带图以及不同模式下的主要变形情况,发现在基体与散射体结合的部位容易出现应力集中的现象。同时讨论了复合材料的不同参数对带隙的影响,发现随着密度比(散射体密度与基体密度的比值)的增大,第一完全带隙的起始频率逐渐增加,但是截止频率变化较小,带宽逐渐减小。相对于杨氏模量比,密度比对带隙的影响更大。本文的结果将对实际的工程应用提供一定的理论指导。
2021-07-27 20:29:52 2.95MB 声子晶体 平面波展 简并态 能带结构
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