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大功率开关电源开通缓冲电路设计，齐丛生，黄军，为抑制大功率开关电源中主开关管开通过程中的电流上升率，降低开通损耗和系统EMI噪声，本文利用反激变压器设计了一种无源低损开通

5G核心网开通配置

死区时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件。现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对死区时间的重要影响，选取结果实用性较差。通过理论研究给出了使LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS的死区时间选取原则，参照该原则详细描述并合理简化最恶劣工况下计及MOSFET关断瞬态的LLC变换器工作过程。在此基础上，通过对MOSFET手册中数据的分析运用，精确算得最恶劣工况下LLC变换器实现ZVS所需死区时间的最小值，最终给出LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS所需死区时间设定值的计算方法。该方法计算过程简单直观，实验结果亦验证了其正确性和有效性。

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图： NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高），下面以导通压差6V为例。 NMOS管 使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通；若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的，只是控制电路复杂，这种情况必须使用隔离电源控制，使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干，明显增加电路难度。

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法兰引入的插损 0.5db/个 熔接头引入的插损 0.1db/个 上行 波长 1310nm 光纤衰减系数 0.42db/km Splitter 插损（1：n） 10lg(1/n) 法兰引入的插损 0.5db/个 熔接头引入的插损 0.1db/个

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中国大陆的地铁交通数据集 本数据集包括截至2020年12月31日中国大陆已开通的地铁交通的城市：北京，天津，上海，广州，长春，大连，武汉，重庆，深圳，南京，沉阳，成都，佛山，西安，苏州，昆明，杭州，哈尔滨，郑州，长沙，宁波，无锡，青岛，南昌，福州，东莞，南宁，合肥，石家庄，贵阳，厦门，乌鲁木齐，济南，兰州，常州，徐州，呼和浩特，太原；记录数据和线路数据以shapefile形式提供；本数据集为开源数据集，由于条件所限难免存在错误遗漏之处，欢迎各位批评指正，可将意见或建议发至： ；；如有相关研究使用本数据集，请在研究成果中注明，谢谢！

MOSFET开通过程分析---米勒平台的形成过程：详细讲解了MOS管开通过程，对米勒平台如何形成做出了详细解释