行业-电子政务-半导体三极管内部偏置电阻的测试方法.zip

第1章 微带扇形偏置电路基本理论之一 第2章 扇形微带偏置理论之二 第3章 利用ADS仿真设计扇形微带偏置的整个过程 计算10GHZ时四分之一波长高阻线（假设设计阻抗为100欧）的长度和宽度。 将高阻线和扇形微带放入电路中，并仿真和优化（注意优化的变量都有哪些） 生成版图 导出到AUTOCAD中并填充 有助于加深理解扇形微带偏置原理的ADS仿真分析 单根四分之一波长微带线的仿真 四分之一波长微带线+扇形微带线的仿真

完整英文电子版 JEDEC JESD226：2013 RF BIASED LIFE (RFBL) TEST METHOD（射频偏置寿命 (RFBL) 测试方法）。这种应力方法用于确定射频偏置条件和温度随时间对功率放大器模块 (PAM) 的影响。 这些条件旨在以加速的方式模拟设备的运行条件，预计它们主要用于设备验证和可靠性监控。

完整英文电子版 JEDEC JESD241：2015 Procedure for Wafer-Level DC Characterization of Bias Temperature Instabilities（偏置温度不稳定性的晶圆级 DC 表征程序）。本文档的范围是为代工厂和无晶圆厂客户提供最低通用协议，以比较 MOSFET 在商定的寿命终止 (EOL) 时的直流 BTI 引起的平均 VT 偏移具有可制造 CMOS 工艺和技术的沟道宽度、Wdes（Wdes >=Wmin – 见附件 B）和长度 Ldes 的晶体管。 BTI 比较是在假设的最差直流使用条件（VDDmax、TJmax）下提出的。 该程序适用于 pMOSFET 和 nMOSFET 晶体管的负 (VGS 0) (PBTI) BTI 条件。

行业分类-物理装置-热调偏置硅铌酸锂混合集成调制器及制备方法.zip

Clipper库是目前计算机图形届广为使用的图形处理库，可以用于解决平面二维图形的多边形简化、布尔运算和偏置处理，在CAD、加工路径与3D打印方面都有着比较重要的应用。

行业分类-电子电器-一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路.zip

行业分类-物理装置-一种MZ电光调制器偏置点控制方法及系统.zip

完整英文电子版 IEC 60749-5：2017 Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 5：Steady-state temperature humidity bias life test （半导体器件 – 机械和气候测试方法 – 第 5 部分：稳态温度湿度偏置寿命测试）。IEC 60749-5:2017 提供了稳态温度和湿度偏置寿命测试，目的是评估非密封封装固态器件在潮湿环境中的可靠性。 此第二版取消并取代了 2003 年出版的第一版。此版本构成技术修订。 此版本相对于上一版本包括以下重大技术更改： a) 修正方程中的错误； b) 包含指导说明； c) 阐明试验条件的适用性。

用matlab simulink自带的simscap库搭建了一个shunt电流采集偏置放大的仿真电路，理论计算公式Vout = (Voffset/(1 + R2/R1 + R2/R3) + Vshunt/(1 + R1/R2 + R1/R3)) * (R5+R6)/R5 , 其中 Vshunt是Rshunt两端的电压。仿真结果符合理论计算。模型供参考，有问题或错误欢迎指出。