利用半导体激光局域加热催化剂,实现了在透明基底上碳纳米管(CNT)的生长。通过调节激光的照射光点,来准确控制碳纳米管的生长位置。这种方法解决了在面积透明基底上室温合成碳纳米管的问题,可以很方便地实现基于碳纳米管阴极的场发射平板显示器。
2021-02-26 15:06:22
782KB
1
Pure zinc blende structure GaAs/AlGaAs axial heterostructure nanowires (NWs) are grown by metal organic chemical vapor deposition on GaAs(111) B substrates using Au-catalyzed vapor-liquid-solid mechanism. Al adatom enhances the influence of diameters on NWs growth rate. NWs are grown mainly through the contributions from the direct impingement of the precursors onto the alloy droplets and not so much from adatom diffusion. The results indicate that the droplet acts as a catalyst rather than an a
2021-02-26 09:06:27
1.96MB
1
应用光学理论分析了一种纳米级位移分辨率的双级衍射光栅测量系统，建立了衍射叠栅信号与对应位移的数学模型，并通过计算机仿真对叠栅信号的位移特性进行了研究。为提高位移检测信号的灵敏度及定位精度，提出了差动式和修正式两种定位方法，差动式定位由于能消除同相噪声干扰及激光管本身光强的波动，因此定位精度高于修正式定位，但修正式定位结构比较简单。利用研究的两种定位方法，建立了精密定位的复合控制系统，通过粗定位和精定位相结合的两段式复合定位，可保证在较大的信号捕捉范围内，实现高速高精度定位，有效地解决了定位精度、定位速度与信号捕捉范围三者之间的矛盾。实验结果表明，复合式精密定位可在1 mm的信号捕捉范围获得±10 nm的定位精度。
2021-02-25 22:03:38
2.82MB
1
通过高分辨率电子束光刻方法制备了不同形状的三层复合材料纳米颗粒，研究了这种纳米颗粒的形状变化对消光特性的影响。测试结果表明，当入射波偏振方向平行于短轴时，随着长宽比的增大，共振峰位置发生“蓝移”；当光源偏振方向平行于长轴时，随着长宽比的增大，共振峰位置发生“红移”。还用时域有限差分算法以及表面等离波子的Lorentz模型对纳米颗粒的消光特性进行数值计算，所得的消光频谱曲线、共振峰位置变化趋势与实验基本一致。此外，还研究了主体材料层厚度对消光特性的影响，发现其厚度在20~90 nm变化时，共振峰发生3~115 nm的“蓝移”。
2021-02-25 20:04:49
2.59MB
1