行业分类-物理装置-4H-SiC+MOSFET静态温度特性仿真分析方法.zip
2021-07-18 22:02:00
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SiC的成本问题? 甚么是合适的应用? 如何驱动⻔极?
用体二极管 还是同步整流? 如何降低杂散电感带来的影响? 如何对短路、过电流和过电压作保护? 如何计算损耗和结温? 如何缓和高dV/dt(电压变化速率)带来的影响? ⻓期可靠性要注意什么?
SiC MOSFET器件是否可以并联?
2021-07-12 22:39:09
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SiC MOSFET隔离式高速驱动电路设计，李刚，高强，近年来随着宽禁带器件的逐步商业化，其市场占有率迅速攀升。为了充分体现SiC器件的优势，本文以高温石油井下参数测量系统为背景，
2021-07-09 10:13:33
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摘要：氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管就是其中的两种解决方案。 这些器件与长寿命硅功率LDMOS mosfet和超结mosfet竞争。 GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有显著的差异。 本文对两者进行了比较，并提供了一些事实，以帮助您为下一个设计做出决策。
2021-06-28 17:04:05
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进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作，沿着下述方向，开发与开关电源相关的产品和技术。
碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是禁带宽，工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、DNI结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率的半导体开关器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。 来源:ks99
2021-06-25 12:18:11
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针对两种SCMA资源映射方式（RE-Sparse SCMA和RB-Sparse SCMA）和已有的基于ZC序列循环移位正交性和正交覆盖码的导频图样方案，提出了基于频分复用的稀疏导频图样，并且在具有不同频率选择性的信道下进行了仿真评估，同时对SCMA的SIC-MPA接收算法提出了目标用户选择策略。从仿真结果可以看出，在慢衰落信道前提下，正交覆盖码和频分复用都可以明显提升信道估计性能，RB-Sparse SCMA 与RE-Sparse SCMA相比，导频图样本身有一定的频域正交性，且性能更好，因此能更灵活地适用于实际多用户传输场景。
2021-06-11 17:28:34
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对C/SiC复合材料制备过程中碳化工艺进行了探索，包括碳化前造孔剂类型及质量分数的确定，碳化过程中碳化温度和碳化速度的确定等．用SEM和XRD分别对碳化后碳支架的孔道结构和相结构进行了分析，此外，也对碳支架的收缩率做了一定的测试．结果表明：选择造孔剂为淀粉且质量分数在14％～16％为最佳，碳支架的孔道包含孔道，微孔和大孔三种类型，碳支架的相结构主要为玻璃态结构的石墨，且碳支架的收缩率在长度和半径方向均一致．
2021-05-30 14:03:41
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高温压力传感器研制的主要目的是解决高温恶劣环境下的压力测量问题，SiC是制造高温压力传感器的理想材料，结合薄膜技术与陶瓷厚膜技术，提出了一种新型的4H-SiC无线无源电容式高温压力传感器设计方案。应用Ansys有限元分析软件进行仿真， 600 ℃时灵敏度为2.65 MHz/bar，说明传感器在高温下具有较高的灵敏度，对制备过程中的关键工艺——SiC深刻蚀进行了验证，刻蚀深度达到124 m，满足传感器制备要求。
2021-04-22 16:25:45
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NOMA（非正交多址接入）中的SIC(串行干扰消除)原理比较简单，但如何清晰的知道其过程是很多初学者头痛的事，此代码来自国外的一个论坛，很清楚的表示了SIC的实现过程，对初学者有很大的帮助。
2021-04-21 11:35:01
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