不错的mos管资料，很详细的，可以看看，真的是，一定要我凑20个字

因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。的驱动常根据和的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。　　在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、电压、电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。　　当与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接与MOS管就显得尤其重要了。　　一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：　　(1)

MOS管模型参数表

用到的mos管驱动板。实测可用

关于MOS管的详细原理解释，关于PMOS、NMOS的区别，以及如何利用开关管来设计开关电路。

以AD9218芯片为AD采集芯片、MCF56F8257 DSC为主控制器,设计了一款便携式的Qg测试仪,并给出了设计原理及实验结果.结果表明,该设计能准确测得Qg,同时也为同类参数测量提供参考.

三极管和MOS管都是很常用的电子元器件，两者都可以作为电子开关管使用，而且很多场合两者都是可以互换使用的。三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？ 三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。下文以NPN三极管和N沟道MOS管为例，下图为三极管和MOS管控制原理。 ▲NPN三极管与N-MOS管当开关管原理 （1）控制方式不同，三极管是电流型控制元器件，而MOS管是电压控制元器件，三极管导通所需的控制端的输入电压要求较低，一般0.4V~0.6V以上就可以实现三极管导通，只需改变基极限流电阻即可改变基极电流。而MOS管为电压控制，导通所需电压一般4V~10V左右，且达到饱和时所需电压一般6V~10V左右。在控制电压较低的场合一般使用三极管作为开关管，也可以先使用三极管作为缓冲控制MOS管，比如单片机、DSP、powerPC等处理器I/O口电压较低，只有3.3V或2.5V，一般不会直接控制MOS管，电压较低

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本文采用自偏压电流源电路，去掉运算放大器，利用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流，得到了在-20～+80℃温度范围内具有3×10-6？℃的温度系数的基准电压。

图 13.11 平行多面体的体积 §13.4.1 线性变换 p1q 平移变换. 设 v0 P Rn 为固定的向量, 考虑线性变换 ϕ : Rn Ñ Rn, ϕpxq “ x ` v0. 根据矩形体积的平移不变性容易知道, 如果 A Ă Rn 可求体积, 则 ϕpAq 也 是可求体积的, 并且体积不变, 这可称为体积的平移不变性. p2q 伸缩变换. 设 λi P R p1 ď i ď nq 考虑线性映射 ϕ : Rn Ñ Rn: ϕpx1, x2, ¨ ¨ ¨ , xnq “ pλ1x1, λ2x2, ¨ ¨ ¨ , λnxnq, px1, x2, ¨ ¨ ¨ , xnq P Rn. 矩形 I “ ra1, b1s ˆ ¨ ¨ ¨ ˆ ran, bns 在 ϕ 下的像仍为矩形 (可以退化), 其体积为 vpϕpIqq “ |λ1| ¨ ¨ ¨ |λn|vpIq “ | detpϕq|vpIq. 将矩形 I 换成一般的可求体积的图形, 上述公式仍然成立, 这可从下面的覆盖引 理看出. 引理 13.4.1 (覆盖引理之一). 设 Ω 为 Rn 中可求体积的有界集合, 则任给 ε ą 0, 存在有限个矩形 tIiu 与 tJju, 使得 ď i Ii Ă Ω, ÿ i vpIiq ą vpΩq ´ ε; ď j Jj Ą Ω, ÿ j vpJjq ă vpΩq ` ε, 其中 tIiu 的内部互不相交. 证明. 取包含 Ω 的矩形 I, 由体积的定义, 有 ż I χΩ “ vpΩq, 因此, 任给 ε ą 0, 存在 I 的分割 π “ tIiju, 使得 | ÿ ij χΩpξijqvpIijq ´ vpΩq| ă ε, @ ξij P Iij .