低功耗无片外电容LDO的设计

考虑到LDO应用在无分立器件的情况下，针对在无片外电容和无片外电阻的情况下对LDO进行研究设计，在无外接电容的情况下，LDO同样能够输出稳定电压，以应用在DC-DC转换器中为内部电路模块进行供电。并通过调整LDO内部运算放大器结构以及对运算放大器进行米勒补偿来调整其零极点，同时在运算放大器内部进行电源隔离的处理，可以显著提高其电源抑制比。最后利用华虹0.18 μm的BCD工艺进行仿真。仿真结果表明，此结构具有高稳定性，可以输出稳定电压。

Features • Output voltage ranges: Fixed range of 1.8V, 2.5V, 2.7V, 3.0V, 3.3V, 5.0V type. • Highly accuracy: ±2% • Low voltage drop: 360mV (typ.), VOUT=5.0V at 500mA • Guaranteed output current: 500mA • Low quiescent current: 4mA (typ.) • Current limiting • Over-temperature shutdown • SOT23-5 and SOT89 Packages

usb ldo的pcb封装，有4个大的标准usbpcb封装，还有一个稳压模块的封装

LDO,电源设计，这篇报告告诉你如何理解LDO的一些术语和定义，如稳压块的压降，静态电流，待机电流，效率，瞬态响应，线性/负载调整率 电源纹波抑制比，输出噪声电压，精度，功耗等。

42V转5V，42V转3.3V，42V转3V的DC-DC降压芯片和LDO芯片选型 42V转24V，42V转20V，42V转15V ，42V转12V，42V转9V，42V转5V，42V转3.3V，42V转3V，42V转1.8V，42V转1.2V.

基于上华0.5 μm工艺设计了用于DC/DC的CMOS低压差线性稳压器,其输入电压为3.3 V，输出电压为1.2 V，最大输出电流为100 mA; 提出了一种补偿网络，保证负载电流发生变化时，LDO具有高稳定性。此外，还设计了一种瞬态响应改善电路来提高负载瞬态响应。仿真结果表明，该 LDO在不同负载情况下的相位裕度均为80°，流片测试结果显示瞬态响应良好。

To be able to explain the differences between NMOS and PMOS Linear Voltage Regulators; their basic operation, advantages and limitations, as well as identifing applications where one, or the other, would be appropriate choice.

LDO噪声揭秘_（TI）.pdf

线性稳压器(LDO)实验手册_（TI）.pdf