基于IGBT的双管正激软开关电源的设计方案pdf,基于IGBT的双管正激软开关电源的设计.pdf
2022-07-20 21:17:29 156KB 开关电源
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为了满足对更大电流的需求,半导体公司必须开发出能够使导通电阻(电流流动时的电阻值)下降的功率MOSFET。与常规的MOSFET相比,采用沟槽(Trench)半导体制造工艺生产的MOSFET有助于将导通电阻值降低20%到40%。
2022-07-20 10:56:12 170KB MOS|IGBT|元器件
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人工智人-家居设计-基于SoC的IGBT智能预测系统研究.pdf
2022-07-14 11:04:28 8.14MB 人工智人-家居
功率半导体,IGBT,三电平,ANPC拓扑结构
2022-07-08 20:33:50 3.5MB IGBT ANPC拓扑 功率半导体 三电平
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2022-07-06 14:07:43 5.37MB 人工智人-家居
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2022-07-05 18:03:29 2.34MB 人工智人-家居
DC/AC正弦波逆变器IGBT方式逆变器资料含IR2110 IBGT驱动资料
2022-07-03 20:29:16 3.31MB 正弦波逆变器
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IGBT的变频电源设计.doc
2022-07-03 11:03:40 465KB 技术资料
本文小编针对于如何用EG8010大功率IGBT模块制作驱动板为读者提供了一个方案供读者参考学习。
2022-07-02 01:23:30 318KB IGBT 大功率 模块 EG8010
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采用IGBT高速光耦与隔离变压器进行驱动上下的开关管,适用于H桥逆变或者是三相逆变,而且摆托了IR2110的芯片节省了芯片的成本而且输入输出完全隔离所以电路更加的安全可靠
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