小数分频电路的优越性能和潜在应用吸引了学者和研究人员的广泛关注。 最近，常规电路理论的基础已经扩展到包括新的广义元素和分数阶元素。 众所周知，电路理论是电磁场理论的一个特例，经典电路元件的特性可以用优雅的电磁学解释来描述。 本文考虑分数阶时间导数，提出了分数阶元素的电磁场解释：分数阶准静态展开，表示分数阶电感器，分数阶电容器和分数阶互感器。麦克斯韦方程。 它表明分数阶元素也可以解释为分数电磁系统。 当元素阶数等于1时，分数阶元素的解释与经典电路元素的解释分别匹配：L，C和互感器。

传统横向单向加载MEMS静电微执行器存在位移过小或驱动电压过大等问题.本文提出一种纵横双向加载的新型硅基静电执行器模型.基于拉格朗日-麦克斯韦方程建立了微执行器动力方程,分析了边缘漏电场对静电力的影响,基于龙格-库塔算法将所有轴向载荷等效为轴向集中载荷,并分别仿真得到了变形与驱动电压、调节电压和轴向挤压量之间的关系,结果表明当驱动电压仅为16 V时,位移高达10.861μm,远大于目前传统横向加载单向变形微执行器的位移量.通过微型制造工艺加工了微执行器,利用高频信号采集了横向极板间的电压变化量,验证了仿真结果.

基于方波信号的磁光调制具有优良的特性，但存在信号畸变的问题，从理论上研究了它的机理。将方波信号通过傅里叶级数展开成不同频率正弦信号叠加的形式。在此基础上用麦克斯韦方程组和贝塞尔方程对各个频率正弦信号的长螺线管空间磁场进行求解，再把经过处理的各正弦信号产生的磁场迭代运算，最终从理论上求解出方波信号驱动时的长螺线管磁场。

图解直观数学译丛 - 麦克斯韦方程直观

麦克斯韦电磁场理论 怎样理解麦克斯韦电磁场理论

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