金属箔式应变片单臂电桥性能实验金属箔式应变片单臂电桥性能实验实验报告
2022-06-09 21:52:24 75KB 传感器
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十字形焊接接头的固有应变,翟川,,本论文研究的内容有固有应变及焊接的APDL(ANSYS Parametric Design Language)参数化语言。在论文中采用的是16Mn钢,并考虑了材料的非线性。通过
2022-06-05 23:51:58 1.41MB 首发论文
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MSG和TNT应变梯度塑性单元 引入高阶应变应变的梯度 需要形函数对坐标的二阶导数 在经典的单元中只有形函数对坐标的一阶导数 非局部加权积分
2022-05-25 10:12:24 227KB ABAQUS 非线性 单元
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abaqus中导出平均非弹性应变能密度的操作教程
2022-05-24 13:50:34 12.46MB abaqus 蠕变
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应变片数据处理。数据处理。数据预处理。一键处理全部应变片的数据,大约一个小时能处理300片应变片的数据。放置一天能处理7200片应变片的数据
2022-05-22 13:49:26 51.01MB 数据预处理 科研 应变片
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传感器与检测技术:应变片的特性.pptx
2022-05-22 09:09:23 332KB 文档资料 传感器
基于虚拟仪器的应变测试系统
2022-05-22 09:05:47 1.78MB 文档资料
为了改善SiGe异质结双极晶体管(HBT)的电学和频率特性,本文设计了一种新颖的SOI SiGe异质结双极晶体管结构。 与传统的SOI SiGe HBT相比,该器件结构的发射极和集电极区域的窗口宽度更小。 在Si0.85Ge0.15引起的附加单轴应力作用下,集电极区,基极区和发射极区均发生应变,这有利于提高SiGe HBT的性能。 借助SILVACOⓇTCAD工具,数值模拟结果表明,在1062和186 V时分别获得了最大电流增益βmax和Earley电压VA,β与VA的乘积即β×VA为1.975×105当基极中的Ge分量配置为梯形分布时,V和峰值截止频率fT为419 GHz。 与传统的SOI SiGe HBT相比,提出的SOI SiGe HBT架构的截止频率fT改善了52.9%。
2022-05-12 14:49:16 866KB 行业研究
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本实验利用处在不同温度或应变光纤Bragg有效折射率及光栅面之间的周期大小的改变,造成布拉格光栅中心波长的漂移,将环境温度或压力的变化转化为中心波长的变化。我们将利用光谱仪,布拉格光栅,宽带光源,光纤环形器搭建实验装置来测量不同温度或压力下,中心波长的变化,从而的到他们的关系线性函数
2022-05-10 16:42:47 2.54MB FBG 温度 应变
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基于51单片机的桥式应变片的简单实用,适合初学者学习。 含有带显示器的简单电路和完整代码。 基于51单片机的桥式应变片的简单实用,适合初学者学习。 含有带显示器的简单电路和完整代码。
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