SmartBond:trade_mark:产品线成员，提供基于集成ARM Cortex M33的专用应用处理器等先进特性。      中国北京，2019年2月25日 – 高度集成定制和可配置电源管理、AC/DC电源转换、充电和蓝牙低功耗技术供应商Dialog半导体公司（德国证券交易所交易代码：DLG）今日宣布，推出其、功能丰富的无线连接多核微控制器单元（MCU）SmartBond:trade_mark: DA1469x蓝牙低功耗SoC系列。该新产品系列包括4个型号，建立在Dialog SmartBond:trade_mark:产品线的成功基础之上，为广泛的IoT连网消费类应用提供更强大的处理能力、更多资源、更大的覆盖范围、和更长的电池续航能力。

业界第一个关于功耗测试的基准，针对服务器的

当今的设计师面对无数的挑战：一方面他们必须满足高技术产品不断扩展的特性需求，另一方面却不得不受到无线和电池装置的电源限制。没有任何技术在这方面的要求比SoC的设计更为明显，在这种设计中，高级工艺比从前复杂的多。然而，上述技术造成了新的电源问题。现代SoC系统的关键之一就是：嵌入存储器在芯片中的比例在不断增长。当存储器开始主导SoC时，应用节能技术使存储器获得系统电源变得十分重要。　　重要问题之一就是：在系统结构方面，是嵌入系统存储器还是把存储器放在SoC之外。在以前的技术中，电源不是要考虑的一个主要因素，而成本是决定是否嵌入存储器的主导因素。　　传统的DRAM在外部存储器中占主导地位，因为它比

遥控器板子采用低功耗MSP430G2553主控，NRF24L01发射遥控信号。对于操纵杆，说白了就是一个双方向和一个四方向的电位器，通过430内部AD采样便可得到操纵命令，电路十分简洁。实际上，遥控器的程序也相当的简单，就我目前需要实现的功能来看。只需要根据AD门限值判断出 上下左右 的方向，然后直接发送给接收机即可。电源稳压用ASM1117-3.3V实测它的压降有1V，所以至也得4.3V供电，事实上买回来这破东西的时候里面就残存有6节干电池，测了一下电压还有6V，足够我调试挥霍。 电路城语:此资料为卖家免费分享，不提供技术支持，请大家使用前验证资料的正确性！如涉及版权问题，请联系管理员删除！ 无线遥控器遥控器端源代码工程(开发环境:keil MDK)、接收端源代码工程(开发环境:IAR for msp430)至附件下载

以ADS1298转换器为基础，通过将高精度模数转换与数字降噪处理技术结合来简化信号调理硬件电路设计，利用芯片内部集成的右腿驱动模块设计了右腿驱动信号电路，实现一种精度高、体积小、低功耗的多通道脑电信号采集前端，并讨论了实现更多通道脑电信号采集的多芯片级联技术，可广泛应用于便携式多通道脑电信号采集设备。

采用超级电容器的供电系统输入电压范围宽，为 3V 到 40V，输出为 2.5A。 可采用超级电容器来取代传统电池（存在电解液泄漏等缺陷）作为后备电源。 在升压模式下，ISL85403升降压调节器对电容器进行放电的能力可与当今的电子元组件相媲美，有助于充分利用电容电量，节约成本。 当负载较小时，在 100 mA 电流下放电效率可高达 82%。 在大电流（1A 输出）条件下，此设计仍能达到超过 50% 的放电效率。 高性能 LDO、高能效 MOSFET 以及精准的电压监控器，造就了这一款集成式供电解决方案。 系统优势 ISL85403能够完全利用超级电容器的电量（可利用电压低至 0.3V） ISL88002电压监控器监视供电状态。 ISL9001A是一款高性能 LDO，具有 ISUPPLY低以及 PSRR 高的特点。 RJK03M5DNSN-MOSFET 支持高能效驱动器和低发热设计。

在超大规模集成电路( VLSI) 设计中, 随着深亚微米技术的应用、芯片集成度的不断提高以及 系统工作频率的加快, 均导致了集成电路的功耗越来越大. 而功耗的增大, 一方面影响了依赖电池 供电的便携式设备的使用, 另一方面芯片的过热也使系统的可靠性降低. 这使得低功耗设计技术日 益成为VLSI 设计者关注的热点. 美国半导体工业联合会在1992 年已确认低功耗技术是当前集成 电路设计的一个紧急技术需要。

针对传统过温保护（OTP）电路的温度阈值点和迟滞量受电源电压影响较大和功耗大等缺点，基于0.18 μm BCD工艺，设计了一种新型的高稳定和低功耗的过温保护电路。通过引入带有温度系数电流的反馈技术实现温度阈值点和迟滞量。Hspice仿真结果表明，当温度达到138℃时，能准确地关闭系统，达到保护电路的目的；当温度降低126℃时，系统恢复正常工作。电源电压在3~5 V之间变化时，过温保护的温度阈值点和迟滞漂移量分别为1.75℃和0.05℃，该电路具有结构简单、功耗低和抗干扰能力强等特点，过温保护电路表现出优良的性能，满足了过温保护电路的低功耗和高稳定性的设计要求。

针对环形振荡器的功耗大、噪声大、线性度差等问题，基于TSMC 55 nm工艺，提出了一种新型交叉前馈结构环形振荡器电路。深入分析了器件自身热噪声、闪烁噪声对环形振荡器输出相噪贡献百分比，利用电容滤波技术来降低振荡器输出相噪，采用源极负反馈电路得到线性电流来改善调频线性度，并提供了宽调谐范围。Spectre RF仿真结果表明，设计的环形振荡器频率覆盖范围为0.2 GHz～3.8 GHz，产生8相位，相位噪声为-91.34 dBc/Hz@1 MHz，在1.2 V电源电压下消耗电流为4.6 mA ,线性度良好。

本文设计的电路，采用衬底驱动技术，将电源电压降至0.8 V，同时电路结合了恒定跨导控制电路和改进型前馈式AB类输出级，能有效提高动态范围和响应速度，使电路输入级和输出级均达到轨至轨，非常适合低压低功耗模拟集成电路应用。