传送网络在演进过程中应满足新的业务需求，传统的MSTP技术对目前网络中处理的大量数据业务已显得力不从心，需要一种革新的解决方案来实现全无阻塞的数据交换和处理，同时又保留对于网络中将会长期存在的TDM业务的处理能力。ASON网络节点控制平面技术已经有重要突破，在省际骨干网的大规模引入已经提上日程。ASON与IP网络协调保护以及到底IP网络需要不需要ASON保护还需进一步的研究，而WDM系统则保持了快速的发展。随着大颗粒路由器信号的出现，开始考虑具有ODU交叉功能的OTN网络。

Liberate MX for SRAM RaK教程 嵌入式静态随机存取存储器（SRAM）实例需要在自由（.lib）文件中捕获的定时、功率、引脚电容和噪声信息，以用于全芯片静态定时分析（STA）流。 随着嵌入式SRAM占用越来越大的芯片面积，准确、高效地生成.lib文件变得非常重要。 这些内存实例的大小和复杂性会使手动方法变得困难和容易出错。 解放MX的架构是为了描述嵌入式内存，如SRAM、ROM、CAM等，以实现定时、功率和噪声。 这是通过在完整的网络列表上运行一个像SpectreXPS这样的FastSPICE模拟器来识别电路活动。 然后，该工具自动为每个需要使用晶体管级遍历的特征的弧划分网络列表，拓扑独立的反馈分析锁存和触发点识别，自动探测，和时钟树识别和传播。 每个弧的分区网表，它包含的晶体管比完整的网表和相关的寄生网络更少，然后可以描述所有的旋转和负载与一个真正的香料模拟器，如幽灵APS。 在自动分区过程中使用动态模拟信息使其成为一种比其他方法更快地准确描述大型宏的首选方法。 基于仿真的方法还可以实现功率表征。 在功率表征期间，设计没有进行分区，因为它需要在整个实例上运行模拟。

浙大中控Pro2.7组态回退工具 浙大中控Pro2.7组态回退工具

在Keil C51开发环境中，对于特定的嵌入式应用，有时我们需要将函数的代码定位到ROM的特定地址，以便实现对硬件的精确控制或优化内存布局。本篇文章将详细解释如何在Keil C51中实现函数的绝对地址定位。 我们需要了解Keil C51的基本工作流程。Keil C51是一款针对8051系列单片机的编译器，它将源代码编译成目标代码（.OBJ文件），然后通过连接器（Linker）将目标代码与库函数结合并分配地址，生成可执行的二进制文件（.HEX或.M51文件）。在这个过程中，函数的默认位置由编译器和链接器自动决定。 为了将函数定位到指定的ROM地址，我们需要以下步骤： 1. 创建项目：首先创建一个新的Keil C51项目，比如名为"Demo"，并将包含需要定位的函数（如ReadIAP、ProgramIAP和EraseIAP）的源代码文件（如"Demo.C"）添加到项目中。 2. 编译和查看链接信息：编译项目后，打开生成的".M51"文件，这是链接器生成的详细报告。从中，我们可以找到每个函数的链接名称、链接地址和函数长度。例如，ReadIAP的链接名称是"?PR?_READIAP?DEMO"，地址是"0003H"，长度是"16H"字节。 3. 计算重定位地址：根据函数的长度和目标地址，计算出每个函数的重定位地址。假设目标地址是0x8000，那么ReadIAP的重定位地址就是0x8000，ProgramIAP的地址是0x8016，EraseIAP的地址是0x802C。 4. 修改项目设置：进入项目的选项，找到"BL51 Locate"属性页，这是用于设置代码段定位的地方。在"Code"域中输入函数的链接名称和对应的重定位地址，格式如下： "?PR?_READIAP?DEMO(0x8000), ?PR?_PROGRAMIAP?DEMO(0x8016), ?PR?_ERASEIAP?DEMO(0x802C)" 5. 重新编译：保存设置并重新编译项目，再次查看".M51"文件，确认函数已经被重定位到指定的地址。 这种方法对于STC单片机等具有特定内存布局要求的系统非常有用，因为它允许程序员精细控制代码的存储位置，从而优化程序性能或者满足特定硬件的需求。同时，注意在使用这些技术时，要确保遵循单片机的内存映射规则，避免地址冲突。 在实际应用中，可能还需要考虑其他因素，例如，如果函数之间存在依赖关系，重定位时需要确保依赖关系的正确性。此外，某些函数可能需要在固定的地址执行，例如中断服务例程，它们通常需要位于固定的ROM区域。因此，在进行函数定位时，要充分理解单片机的架构和内存管理机制，以确保程序的正确运行。

内容概要：本文详细介绍如何使用Python实现免疫遗传算法（IGA）来求解经典的旅行商问题（TSP）。文章首先介绍了TSP问题的定义、复杂性及其在物流、路径规划等领域的广泛应用；随后讲解了遗传算法（GA）的基本原理及其在TSP中的应用，并指出其易早熟收敛的缺陷；接着引入免疫算法（IA），阐述其通过免疫记忆和调节机制增强搜索能力的优势；在此基础上，提出将两者融合的免疫遗传算法，通过接种疫苗、免疫选择、克隆变异等机制有效提升解的质量与收敛速度。文中给出了完整的Python实现步骤，包括城市数据生成、距离矩阵计算、适应度函数设计、免疫与遗传操作的具体代码，并通过可视化展示最优路径和适应度曲线，最后对结果进行分析并提出参数调优与算法改进方向。; 适合人群：具备Python编程基础、了解基本算法与数据结构的高校学生、算法爱好者及从事智能优化相关工作的研发人员；尤其适合对启发式算法、组合优化问题感兴趣的学习者。; 使用场景及目标：①掌握免疫遗传算法解决TSP问题的核心思想与实现流程；②学习如何将生物免疫机制融入传统遗传算法以克服早熟收敛问题；③通过完整代码实践理解算法各模块的设计逻辑，并可用于课程设计、科研原型开发或实际路径优化项目参考；④为进一步研究混合智能算法提供基础框架。; 阅读建议：建议读者结合代码逐段理解算法实现过程，动手运行并调试程序，尝试调整种群大小、变异率、交叉率等参数观察对结果的影响，同时可扩展疫苗策略或引入局部搜索等优化手段以加深理解。

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在进行TSMC 12nm标准单元库的设计和版图布局时，有诸多细节需要特别注意。对于标准单元（Stdcell）而言，Tsmc 12NM Stdcell6T剖面图新增了M0_PO、M0_OD和V0三个层面。它们的连接关系自下而上依次为M0_OD、V0、M1POLY、M0_PO、V0和M1。这种设计与更上层次的工艺没有区别，因此在设计时，可以参考其他工艺的M1以上层次的布局。 在理解层次之间的连接关系时，M0OD和M0PO的标识通过Mark Net工具可以更加直观地展现，对于加快理解设计层次间的连接关系非常有帮助。在版图设计中，格点和FinGrid的尺寸是关键，对于Tsmc 12nm工艺，格点大小是0.001，而FinGrid的尺寸是0.048。 Tsmc 12nm工艺在Fin版图设计上有所创新，新增了FINFET FB1层，这一层用来显示Fin的位置。需要特别注意的是，Fin的第一Y坐标位置设定在0.024，这是因为这个值等于半个Fin的高度。而FinMOS OD的高度并不是简单地通过Fin的数量乘以Fin的高度来确定的，而是通过nFin参数来表示。 在版图设计中，所有AAAA边缘必须落在Fin上，否则会造成许多DRC（设计规则检查）错误。另外，PO（Poly的中心间距）为0.096，因此在版图设计时需要添加PO_P96层。 针对边缘POLY，其宽度为0.02，与GATE的长度不同。但无论如何，从POLY中心到POLY中心的间距应该保持在0.096。PODE（Poly on OD edge）的作用是当OD断开时，在边缘部分要确保有PODE，以保持电路的连续性。CPODE（CUT FinFET process CELL 的边缘断开）确保了不同CELL之间的连接在必要时可以被断开。 在CELL设计中，特别是涉及P/N MOS之间的连接，PO和CPO的使用至关重要。两排CELL的设计时，上下边缘的CPO是连续的，中间CPO是断开的，以确保上下排CELL之间可以通过GATE连接。CPO宽度是离散值，边缘选择宽度为0.082，而P/N MOS之间则是0.044。 M0OD（Metal 0 Odd/Even）需要均匀等间距布局，M0OD和OD直接连接，P/N MOS之间的M0OD互连。如果需要在不需要的地方打断M0OD，就要使用CM0OD。M0OD与OD相接的地方，以竖向方式引导到电源层，通过VIA0与M1连接。 M0_PO的宽度是不连续的，是离散值，布局时需要注意。PO的横向连接在布局中也非常重要，需要确保各个组件之间的正确连接。 TSMC 12nm工艺在标准单元设计中增加了多层次的连接细节，从版图格点到Fin结构的布局，再到M0OD、PO和CPO等关键部分的详细设计，都要求设计者有非常严格和精细的操作标准，以确保芯片设计的正确性。

《使用Matlab生成韦伯分布数据并导入COMSOL中的详细脚本及解析》—— 弹性模量二维随机分布的模拟与实现,COMSOL中Weibull韦布分布的Matlab脚本生成与导入：附注释，学习二维弹性模量随机分布图解析,comsol weibull 韦伯分布 matlab生成导入comsol中 。 有具体脚本且标有注释，方便大家更好理解学习。 图为二维弹性模量随机分布。 ,comsol; weibull; 韦伯分布; matlab; 脚本; 注释; 二维弹性模量随机分布,**使用Comsol Weibull韦布分布及Matlab生成脚本的教程**

谷歌GFS+Mapreduce+Bigtable三大论文中英文版本,是一个PDF，主要是论文信息

内容概要：本文详细探讨了利用Comsol软件模拟光子晶体中角态与边界态的方法及其特性。首先介绍了角态的概念，即光子在晶体边界处形成的特殊状态，通过设定特定的光子晶体结构参数和边界条件，求解麦克斯韦方程组，模拟并观察角态的传播模式和波矢分布。其次，解释了边界态的概念，即光子在光子晶体与外界介质交界处形成的特殊状态，通过设定晶体与外界介质的界面模型，模拟边界态的形成过程及其独特现象。最后，通过具体代码实例展示了如何使用Comsol进行模拟，包括设定结构参数、材料属性、边界条件和初始状态，并使用有限元方法求解麦克斯韦方程组，从而获得光子在晶体中的传播情况及角态和边界态的分布。 适合人群：从事光子晶体研究的科研人员、物理专业学生、对光子晶体感兴趣的工程技术人员。 使用场景及目标：适用于希望深入了解光子晶体中角态与边界态特性的研究人员，旨在帮助他们掌握Comsol软件的使用技巧，优化光子晶体的设计，提升其光学性能。 其他说明：文中提到的具体代码实例有助于读者更好地理解和实践光子晶体的模拟过程，同时展望了未来光子晶体研究的发展方向。