电沉积法制备TNTs/CdS_xSe_y异质结及其光电性能研究

上次在CSDN下载了一个类似的功能的源码，发现源码不全，根本无法执行，没有学习价值，于是我又多方查资料，最终成功了，应该在CSDN上易语言这种源码完整的就独此一份了吧。希望对大家有用。我也混几个积分好下载我眼馋的源码和资源。^_^ 运行后将微信“FileStorage\Image\”下的DAT格式的缓存批量拖入到程序窗口，即可批量异或解密这些图片缓存，速度快。这个源码是功能完整版，绝对可用。打开即可使用，可以自动判断解密密码。 这个工具还可以用来简单加密你电脑上的文件，把文件拖进去加密，再拖进去解密。

为了稳定地采用多频带kp模型来分析半导体异质结构中的无杂散解（SS）的能带结构，提出了一种用于有限差分法（FDM）的埃尔米特向前和向后差分（HFBD）方案。 HFBD是一种离散化方案，它消除了差异的不稳定性，并采用Burt-Foreman Hermitian算子排序，而没有几何不对称性。 差异的不稳定性来自采用Foreman策略（FS）。 FS消除了散布曲线中非物理弯曲导致的SS，而HFBD是唯一可以准确适应它的差异方案。 与其他最新策略相比，本文提出的方法与FS一样准确，可靠，并且保留了FDM的快速性和简便性。 这种差异方案显示出稳定的收敛性，并且在可变网格大小下没有任何SS。 因此，无论它们最初生成的SS是什么，都可以使用这种方法将各种实验确定的频带参数应用于大规模稳定仿真。

我们从理论上研究了嵌入核心的异质纳米蝶形天线中的局部表面等离子体激元共振。 提出可以相对于核心成分，领结尺寸和环境填充折射率对Au-Ag纳米领结天线的空间分布和光谱位置进行前所未有的调整。 可调谐的光谱和空间特性归因于核心嵌入纳米领结内修饰的等离激元偶极子相互作用，可以通过纳米领结天线以及核心成分的大小很好地控制这种相互作用。 这项研究为调整核心嵌入异质结中的近场特性提供了基本的了解，可广泛应用于单分子荧光，SERS和光热疗法等领域。

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本文通过对InGaAsP/InP场助异质结半导体光电阴极的材料生长、场助肖特基结的制备及阴极激活等工艺的系统研究,研制出具有较高光谱响应的半导体光电阴极,生长出优于文献报道的晶格失配率标准的材料,得到相当80年代国际水平理想因子值的场助肖特基结,用实验数据介绍提高量子效率数量级的方法和条件.研究结果表明场助异质半导体光电阴极是在红外波段很有潜力的光电发射体.

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将图片A放大为图片B∽A，A不能成为B的一部分；同样，将直线段A放大（拉伸）变为比A长的直线段 B～A，A不能成为B的真子集⊂B。“A⊂B”这一初等数学几百年函数、解析几何“常识”使康脱推出错上加错的更重大错误：直线段的部分元点可与全部元点一样多。图A≌A这一初等几何最最起码常识凸显放大（拉伸）变换前、后的直线必不重合——表明几何科普知识:“有无穷多个公共点的直线必重合”其实是将无穷多各异直线误为同一线。

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