BOOST型ZVT-PWM，DC-DC软开关变换器相关文档，包含原理的介绍，过程分析以及必要的仿真波形。

使用电压电流双闭环控制，可以实现超前臂的零电压开关

阮新波博士的直流开关电源软开关技术，内容精辟，实用。

介绍一种改进型ZVT-BOOST电路，辅助管增加了无损吸收电路，进一步提高了软开关电路的效率。文中分析了电路的工作原理，给出了仿真与实验结果以及主要参数的设计。 　　有源功率因数校正（APFC）技术能够实现各种电源装置网侧电流正弦化，把非线性负载变换成为一个等效纯电阻，使功率因数接近1,极大地减少了电流的高次谐波，消除了无功损耗，减小了电磁干扰（EMI）。目前已进入商业实用阶段。由于是在电网和电源装置之间串联插入的功率校正装置，因此功率因数校正装置的可靠性和电效率显得尤为重要。能够实现功率因数校正的电路有多种，在功率较大的场合，BOOST电路具有许多优点而得到了广泛的应用[1].但是，单相BO

本文介绍了一种大功率低压大电流开关电源的设计方案，该电源满载输出功率为60kW（5000AP12V） ,采用软开关移相全桥控制方式，实现了零电压软开关；控制电路中采用了稳压稳流自动转换方案，实现了输出稳压稳流的自动切换，提高了输出性能；采用多个变压器串并联结构，使并联的输出整流二极管之间实现自动均流；设计并使用了容性功率母排，减小了系统中的振荡，减小了功率母排的发热，达到了令人满意的实验结果。

摘  要：本文介绍了高速双MOSFET驱动器MC34152的内部结构、工作原理以及由MC34152与CMOS逻辑器件组成的软开关变换器驱动电路的设计。　　关键词：驱动电路；功率MOSFET；开关电源；变换器 引言　　在高频PWM开关变换器中，为保证功率MOSFET在高频、高压、大电流下工作，要设计可靠的栅极驱动电路。一个性能良好的驱动电路要求触发脉冲应具有足够快的上升和下降速度，脉冲前后沿要陡峭；驱动源的内阻要足够小、电流要足够大，以提高功率MOSFET的开关速度；为了使功率MOSFET可靠触发导通，栅极驱动电压应高于器件的开启电压；为防止误导通，在功率MOSFET截止时最好能提供负的栅-源

蓄电池的输出电压在使用过程中是从高到低宽幅变化的,这对以蓄电池作为电源的电流变换器、特别是运用软开关技术的电流变换器产生了很多影响。以带饱和电感的移相全桥零电压开关ZVS-PWM直流变换器为研究对象,在对其7种工作模式进行具体分析的基础上,研究了输入电压幅值变化对其软开关条件实现、变压器副边占空比丢失及其整个直流变换系统变换效率的影响,并进行了仿真实验;对不同输入电压下的仿真实验数据进行对比和分析。结果表明,输入电压升高会严重影响滞后桥臂ZVS的实现,增大环流时间和环流电流;而输入电压下降则会增大占空比丢失,影响输出电压。

关于LLC得设计描述，内容详尽，方法合理，只要按照文中的步骤设计就能设计除好的电源

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参考资料-第五章软开关技术.zip