SIC MOS 的产品稳定性需要时间验证:根据英飞凌 2020 年功率半导体应用 大会上专家披露,目前 SiC MOSFET 真正落地的时间还非常短,在车载领域才刚 开始商用(Model 3 中率先使用了 SIC MOS 的功率模块),一些诸如短路耐受时 间等技术指标没有提供足够多的验证,SIC MOS 在车载和工控等领域验证自己的 稳定性和寿命等指标需要较长时间; 根据 Yole 预测,SIC 和 GaN 电力电子器件(注意是 GaN 在电力电子中的应 用,不包括在高频射频器件)2023 年在整体功率器件渗透率分别为 3.75%和 1%; 驱动因素是新能源汽车新能源发电以及快充。 我们认为目
2021-03-19 18:09:13 1.46MB 3C电子 微纳电子 家电
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《屏蔽泵用成套碳化硅轴承的设计及应用》 介绍了屏蔽泵用成套S-SiC无压烧结碳化硅轴承的设计及其应用。列出了各类碳化硅陶瓷材料的物理机械性能指标和耐化学性能的参考数据,并着重对产品的优化设计和选材作了说明。
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《CNH-M磁力泵碳化硅轴承的改进》 由于金属材料和碳化硅的比重相差较大,要考虑轴套过大会增加电机负荷,可适当将轴套外径改小,轴承内径减小。H8/f7,H7/n6
采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,在1GHz和1. 01GHz频率下,当栅长从0. 8μm增大到1. 6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33. 55dBm (36. 26dBm)减小到18. 1dBm (13. 4dBm) , 1dB压缩点从24dBm下降到7. 43dBm。为实际器件的线性化设计提供理论依据。
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碳化硅的加工工艺,应用和类型
2021-02-02 17:06:05 5.4MB 碳化硅
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