高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析pdf,相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET 逆变器的功率密度，探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积， 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。 随着开关频率从数十 kHz 逐渐提升至数百 kHz，软开关逆变器不仅能够维持较高的转换效

我们测算 SiC 衬 底及外延片价值量合计占比超器件总价值量的 60%，2025 年 中国本土导电型衬 底片需求超 100 万片，行业上游重要性强，需求空间广 阔。

碳化硅在大功率电力电子器件中的应用doc,功率半导体器件是电力电子技术的关键元件。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件能够承受更高的电压，具有更低的寄生参数（寄生电容、电阻和电感），更小的器件尺寸和更短的响应时间。开关速度的提高不但可以降低系统功率损耗，而且能够允许使用更小的变压器和电容器，大大减小了系统的整体尺寸和质量。而且，碳化硅的耐高温特性大大降低了系统的散热设计，允许使用更小的散热片及风扇，降低散热器体积及功率损耗。因此，碳化硅器件有望从本质上提高电力电子功率转换设备的效率和功率密度。本文对碳化硅材料特性做简单的介绍，进而深刻了解碳化硅

碳化硅生长

SIC MOS 的产品稳定性需要时间验证：根据英飞凌 2020 年功率半导体应用 大会上专家披露，目前 SiC MOSFET 真正落地的时间还非常短，在车载领域才刚 开始商用（Model 3 中率先使用了 SIC MOS 的功率模块），一些诸如短路耐受时 间等技术指标没有提供足够多的验证，SIC MOS 在车载和工控等领域验证自己的 稳定性和寿命等指标需要较长时间； 根据 Yole 预测，SIC 和 GaN 电力电子器件（注意是 GaN 在电力电子中的应 用，不包括在高频射频器件）2023 年在整体功率器件渗透率分别为 3.75%和 1%； 驱动因素是新能源汽车新能源发电以及快充。 我们认为目

《屏蔽泵用成套碳化硅轴承的设计及应用》 介绍了屏蔽泵用成套S-SiC无压烧结碳化硅轴承的设计及其应用。列出了各类碳化硅陶瓷材料的物理机械性能指标和耐化学性能的参考数据，并着重对产品的优化设计和选材作了说明。

《CNH-M磁力泵碳化硅轴承的改进》 由于金属材料和碳化硅的比重相差较大，要考虑轴套过大会增加电机负荷，可适当将轴套外径改小，轴承内径减小。H8/f7，H7/n6

采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,在1GHz和1. 01GHz频率下,当栅长从0. 8μm增大到1. 6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33. 55dBm (36. 26dBm)减小到18. 1dBm (13. 4dBm) , 1dB压缩点从24dBm下降到7. 43dBm。为实际器件的线性化设计提供理论依据。

碳化硅的加工工艺，应用和类型