1、 在对示例中的电路进行零极点分析后，通过必要的仿真确认输出极点及输入极点的值分别为多少？
答：如下所示
电路图
输入极点仿真结果
得到输入极点值为-1.19、-2.35、-7.73
输出极点
由图可得，输出极点值为-8.96、-1.19、-2.35、-7.73.
2、 若将示例中负载电阻改为 10k 和 30K，通过仿真分析电路的零极点及输
出噪声有何变化。观察输出噪声积分区间为（1Hz，100kHz）（1MHz，100MHz）时噪声的主要来源有何不同?
当负载电阻为10K：
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一、 运放原理图及Symbol 建立
1. 最大增益为：49.29；输出偏置电压为2.03V；对应的输入offset为：-1.852e-3V
规定输出的偏置电压为2.124V
衰减到-3dB后，差模取值的范围为：-0.027~-0.016V
输出摆幅为：921.34mV~2.47V
2、功耗为：653.758uW
3、相位裕度为87.67（Deg），单位增益频率为：144.148MHz。
4、共模增益Acm=4.580e-8，所以CMRR=49.2958
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一、一阶工艺参数的提取
1. Bsim4 模型中的 mos 管共包含多少个参数？
答：297
2. 找到栅氧化层厚度 toxref，计算单位面积的栅氧化层电容（介质为 SiO2，
计算结果以 fF/μm2为单位）。
答：Cox=11.5fFd/um^2
3. 低压 NMOS（cell name 为 nmos2，model name 为 nch）尺寸为 10μ/0.18μ，
漏源电压为1.8V，在栅源电压分别为1V和1.5V时仿真出器件的漏电流。
在此两组数据的基础上根据长沟道模型计算出 unCox(W/L)及 VTHN
答：栅源电压为1V时，如图
栅源电压为1.5V时，如图
由公式id=1/2unCoxw/l(VGS-VTH)^2可以得到：
VTH=1.2V
4. 根据第 3 问得到的参数，在漏源电压为 1.8V，栅源电压为 1.2V 时重新计
算漏电流的大小。将此结果与仿真结果进行比较，误差为多少？
答：Vds=1.2V时，仿真如图
由id=1/2unCoxw/l(VGS-VTH)^2可得到id=2.99mA 误差为0.19mA.
二、共源级放大器设计
1. 设计一个电流源做负载的共源级，如下图所示。
要求供电电压 1.8V，电流源提供的偏置电流为 0.35mA，输入管为 NMOS，
要求器件面积尺寸尽可能小，低频增益不小于 30。
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一、扫描栅源电压获取相关曲线。按照下图拓扑搭建电路。
二、扫描漏源电压获取相关曲线。对下图电路进行直流分析 ，进行扫描。获取以下曲线。
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带隙基准电路的设计
1、设计电路图：
2. 温度系数仿真结果：
3. 线性灵敏度的仿真结果:
附加：流镜自偏置电路设计：
1. 电路设计：
2. 温度系数仿真结果：
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全差分运算放大器的设计
根据运放要求，直流增益大于 80dB ，单位增益带宽大于 50MHz ，单边输出摆幅大于 0.9V ，设计为共源共栅级联与共源极两级全差分运算放大器
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清华版双语教学用书，对于学习模拟电子的师生、工程师等，有极大的帮助与指导作用。
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