（上海华虹NEC电子有限公司，上海201206）摘 要：介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估。展示了在0.13um及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的研究结果。关键词：等效扩散长度,像对比度,能量裕度,光刻 中图分类号：TN305.7 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2005)07-0039-041 引言 化学增幅光刻胶在248nm和193nm光刻工艺中被广泛应用。化学放大的过程需要光致酸在空间上扩散开来，从而实现化学放大的催化反应。由于扩散的随机性，它会使空间像的对比度下降、掩模版误差因子的升高、及能量裕度

8.10.1、图形的保真度 经过腐蚀之后图形，通常呈现为三种情况， 设纵向腐蚀速率为Vv、侧向腐蚀速率为Vl。 图(a)，Vl =0，腐蚀只沿纵向进行，为各向异性腐蚀。 图(b)和(c)，在纵向腐蚀的同时，侧向也进行了腐蚀。若Vv = Vl ，为各向同性腐蚀。

ArF光刻胶企业：日本JSR复盘及优势分析.pdf

光刻工艺和设备的介绍，适用于刚接触光刻技术的新人。

投影式光刻机是微电子产业中极大规模集成电路的加工设备。 照明系统和投影物镜系统是投影式光刻机的重要组成部分， 其性能的好坏对光刻成像质量起决定性作用。 研究照明系统和投影物镜系统的性能对光刻性能的影响对光刻投影曝光系统的设计以及光刻系统的性能评估具有一定的指导意义。

医学-具有酸反应性基团的新颖含氟聚合物以及使用这些材料的化学增幅型光刻胶组合物.zip

AZ系列光刻胶的各类参数，中文资料

计算光刻方面最权威的电子书，2010年版 ' Computational Lithography ' by Xu Ma, Gonzalo R. Arce

（中南大学机电工程学院，湖南 长沙410083）摘 要：对ADAMS的求解原理进行了简单介绍并运用ADAMS仿真软件分别建立了两种结构对应的虚拟仿真模型，对减振系统分别无主动控制和有主动控制进行了仿真研究。以光刻机为代表的集成电路设备是光、机、电一体化的高精尖产品，其设计和制造集中体现了相关学科中最高水平的研究成果，如对光学镜头表面轮廓的纳米级测量与误差补偿、亚纳米级粗糙度表面的加工，镀膜材料和工艺、运动平台的那米级定位、设备运动环境（振动、温度、湿度、粉尘等）的控制等提出了极高的要求[1-2]。光刻机超精密工件台是光刻机的核心部件之一，其运动精度直接影响光刻机的分辨力，速度和加速度影响光刻机

针对穆勒矩阵成像椭偏仪的系统误差源提出一种简化分析方法,将光强曲线的理想傅里叶级数系数组与实际系数组进行近似匹配,建立穆勒矩阵测量误差与误差源参数之间的线性模型。针对解析式复杂的随机方位角误差,从统计学角度提出了一种等效噪声模型以分析其对测量结果的影响。采用上述简化方法系统分析了椭偏仪的6种系统误差源和2种随机误差源对穆勒矩阵测量结果的影响,并以一个典型光刻投影物镜的穆勒光瞳为检测对象,进行了检测仿真。仿真结果验证了所提方法分析的准确性。