溅射非化学计量的铝和钛氧化物层钝化的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的比较研究
2021-03-05 18:08:05
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通过高频等离子体增强化学气相沉积（HF PECVD）在低温下沉积氢化非晶硅氮化物膜（SiNx：H）。 主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性（尤其是应力）中的作用。 通过傅立叶变换红外光谱（FTIR）获得有关膜中化学键的信息。 SiNx：H膜中的应力由衬底曲率测量确定。 结果表明，等离子体频率在控制SiNx：H薄膜的应力中起着重要作用。 对于以40.68MHz的等离子体频率生长的氮化硅层，观察到初始拉伸应力在400MPa-700MPa的范围内。 氮化硅膜的固有应力的测量结果表明，该应力量足够用于应变硅光子学中的膜应用。
2021-03-04 15:10:13
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我们研究了半导体VO2薄膜的太赫兹（THz）传输特性及其在相变后的THz抑制行为。 通过溶胶-凝胶法沉积VO2薄膜，并提出了随着薄膜厚度的增加而发生表面纳米晶化的原位生长。 形态学引起的渗流导致半导体VO2薄膜具有较高的THz透明性，而更紧凑的纳米结构可以解释金属薄膜中THz转换比的提高。 这些结果可能会为THz器件应用的VO2薄膜的人工设计提供见识。
2021-03-02 21:06:09
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