通过高频等离子体增强化学气相沉积（HF PECVD）在低温下沉积氢化非晶硅氮化物膜（SiNx：H）。 主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性（尤其是应力）中的作用。 通过傅立叶变换红外光谱（FTIR）获得有关膜中化学键的信息。 SiNx：H膜中的应力由衬底曲率测量确定。 结果表明，等离子体频率在控制SiNx：H薄膜的应力中起着重要作用。 对于以40.68MHz的等离子体频率生长的氮化硅层，观察到初始拉伸应力在400MPa-700MPa的范围内。 氮化硅膜的固有应力的测量结果表明，该应力量足够用于应变硅光子学中的膜应用。

环形 ZnO 薄膜谐振器的横模抑制与测试分析

我们研究了半导体VO2薄膜的太赫兹（THz）传输特性及其在相变后的THz抑制行为。 通过溶胶-凝胶法沉积VO2薄膜，并提出了随着薄膜厚度的增加而发生表面纳米晶化的原位生长。 形态学引起的渗流导致半导体VO2薄膜具有较高的THz透明性，而更紧凑的纳米结构可以解释金属薄膜中THz转换比的提高。 这些结果可能会为THz器件应用的VO2薄膜的人工设计提供见识。

薄膜InGaAs光电探测器的偏振无关宽带吸收增强

Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜的制备及其性能研究

溶胶-凝胶法Er_2O_3薄膜的结构和光学特性

对氧化物薄膜的双离子束溅射沉积作了系统地实验研究。考察了离子束溅射工艺参数对薄膜光学特性的影响，制备了折射率接近于块材料的TiO2和ZrO2薄膜，显著降低了TiO2、ZrO2和SiO2薄膜的光吸收损耗，TiO2和ZrO2薄膜的抗激光损伤阈值得到显著提高。用双离子束溅射沉积1.06 μm多层高反膜，得到了大于99.5%的高反射率，经高温退火处理的双离子束溅射沉积高反膜的抗激光损伤阈值同热蒸发沉积的高反膜相比有所提高。

研究了有机染料酞菁铜(CuPc)真空蒸镀薄膜在可见及近红外区域的吸收光谱和光学常数,发现酞菁铜薄膜在550～750 nm波长范围内具有较强的吸收.在静态测试仪上测试了酞菁铜薄膜的光存储记录特性,发现用低功率氦氖激光辐照样品时薄膜反射率变化较大.在酞菁记录层上覆盖金属反射层将提高写入激光的阈值能量并且增大反射率的对比度.

论述了在交变磁场下测量磁光薄膜动态法拉第效应的原理和方法.利用此方法,在不同的调制磁场强度和频率下测量磁光薄膜的动态法拉第旋转特性,获得了较好的测量结果,并对测量误差进行了分析.

研究了1064 nm激光辐照致光学薄膜分层剥落的损伤特性及其抑制手段。从光学薄膜的界面结构出发分析了温升在分层剥落产生过程中的作用,从理论上得出了剥落面积与辐照脉冲能量之间的关系式并通过实验进行验证,间接证明了分层剥落的成因; 对分层剥落的抑制、改善方法进行了理论探讨与实验,证明亚阈值能量脉冲预辐照之后剥落面积明显减小,并且在一定范围内预辐照脉冲的能量密度越高相应的效果越明显,对作用机制给出了定性解释。