零食与遗传遗传算法 本期《零食与骇客》有两个挑战： 使用遗传算法生成简单形状的自定义图像（中等水平，无硬件要求） 使用遗传算法使用nvidia的StyleGAN生成您的脸部，以获得超现实的脸部（高级，需要GPU） 挑战1 可以在此存储库中的generic_polygons.py文件中找到有关第一个中级挑战的说明。 挑战2 第二个高级挑战利用tensorflow和此仓库的内容： : 。 请注意，要执行此任务，您需要具有带有CUDA环境设置的nvidia GPU 。 或者，您可以使用云计算（例如Google Cloud Platform），但可能会产生一定的成本，会增加复杂性，并且可能

像素制作

在空间得到的图片，需要知道图片上的像素点所代表的位置信息

待机动作，跳跃，奔跑，以后会有死亡和更多

基于亚像素位移的超分辨率图像重建算法

在基于图像的位移测量中,为了获得较快的测量速度和高的测量精度,提出了基于拉格朗日插值与牛顿法算法的亚像素位移测量方法。该方法首先对5个整像素点的相关系数值作拉格朗日插值,得到一个4次多项式,然后再利用牛顿法去求解此多项式的极值,该极值点所对应的位置即为待测点的亚像素位移。简捷的拉格朗日插值法与快速收敛牛顿法的综合运用使得位移测量能够在保证良好测量精度的同时有效地减少亚像素匹配中耗时的相关计算。经理论推导与仿真实验证实,在测量精度为0.05~0.1像素的水平下,该测量方法在测量精度、速度等方面具有很大的优势。

为满足市场对超薄广角手机镜头的需求，用光学设计软件Zemax 设计了一款800 万像素超薄广角手机镜头。该手机镜头由4 片非球面塑料透镜和1 片红外滤波片组成。它的总长为3.6 mm、最大视场角为82°、F 数为2.1、畸变小于2 % 。图像采集元件采用的是美国Omni Vision 公司生产的一款型号为OV8858 的互补金属氧化物半导体(CMOS)，每个像素大小为1.12 mm，奈奎斯特频率为446 lp/mm，最大像素为800 万，最大像高为4.57 mm。设计结果显示，在1/2 奈奎斯特频率处的调制传递函数(MTF)均大于0.25，TV 畸变小于1%，成像质量好。公差分析结果较松，易于生产加工。并用光学系统分析软件ASAP 分析杂散光，其结果可被接受。

一款测量工具,无需安装,文件为.exe.直尺mm,cm,px.可旋转

代码运行效果图见压缩包

今天，互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器（CIS），又称有源像素传感器（APS），是最流行的成像技术，每年生产数十亿种图像传感器，它们占成像仪市场的90%左右，几年内应该超过95%。。与电荷耦合器件（CCD）的主要替代成像技术相比，CISS具有功耗低、集成度高、速度快和集成芯片（甚至像素内部）先进CMOS功能的能力等主要优点。由于最新的技术创新，CISS目前，在图像质量和灵敏度方面与CCD的性能相匹配，甚至在数字单透镜反射、科学仪器和机器视觉等高端应用中也处于领先地位。由于这些优点，CISS还可用于恶劣的辐射环境中的应用，例如：空间应用、X射线医学成像、电子显微镜、核设施监测和远程处理（核电厂、核废物储存库、核物理设施…）、粒子检测和成像。军事应用等。设计、加固和测试此类应用的传感器需要了解暴露于辐射源时的CIS行为。自发明以来，进一步了解和提高APS固有良好的辐射硬度一直是人们感兴趣的话题。与旧的相比，随着CIS技术的深入发展（如本文所讨论的）带来的新行为的出现，这种兴趣也在不断增加。早期工作中使用的R代主流CMOS工艺。   本章的目的是概述当暴露在高能粒子辐射场中时，可经受现代顺式结构的寄生效应。   APS、CIS和单片有源像素传感器（MAPS）指定了相同类型的CMOS集成电路（IC）：一个像素阵列，每个像素内有一个光电探测器和一个放大器。根据社区的不同，可以优先使用其中一个名称。APS是一个通用术语，CIS主要用于成像应用，而MAPS是粒子检测领域的主要术语，与混合检测器相比，它强调了设备的整体性。在大多数情况下，CIS是一种使用为成像应用优化的CMOS工艺（称为CIS工艺）制造的APS，而MAPS通常使用标准或高压CMOS工艺制造，其主要用途不是光学成像，而是高能粒子检测（和成像）。从辐射效应来看从本质上讲，如果光电探测器技术相同，MAPS和CIS之间就没有本质上的区别。这意味着，尽管本章关注的是独联体，但本文所讨论的大部分内容都适用于这两个传感器系列。   本章使用以下辐射效应概念来描述高能粒子对顺式的影响。请读者阅读本书的第一章或本节中给出的参考文献，了解这些定义、机制和属性的起源和局限性。   当穿过构成IC的材料层时，电离粒子（例如高能光子（x和γ射线）和带电粒子（电子、质子、重离子…）通过产生电子-空穴对而损失大部分能量。这种过量的电荷载流子可以通过诱发单事件效应（见〔16〕（及其参考文献）或总电离剂量（TID）效应来干扰或损坏IC。当单个粒子产生的电子空穴对足以干扰或损坏IC时，就会发生SEE，而TID效应是电离辐射累积暴露的结果。   TId（或吸收剂量）表示通过电离作用传递给每单位质量物质的平均能量，这里用Gy（SiO2）（即1J或每千克SiO2的能量）1，2表示。在医疗和航天应用中，电子电路吸收的电离辐射剂量通常低于100Gy-1KGy，而mGy在在电子显微镜或核和粒子物理实验中可以达到锗。通过本章，读者应记住，被吸收的TId会导致电介质中捕获的正电荷的积聚，在Si/氧化物界面上形成界面状态，并且这些缺陷密度随着TId的增加而增加。有关TID影响的详细审查，请参阅。   高能粒子也可以通过非电离相互作用在物质中失去能量。这些相互作用可以概括为与原子核的直接相互作用，它们通常导致原子核的位移。与电介质中主要关注的TID效应相反，原子位移主要是电路中晶体硅部分的问题。与辐射引起的原子位移有关的效应称为位移损伤效应，通过非电离相互作用传递给每单位质量物质的平均能量称为位移损伤剂量（dd）（通常以ev/g（si）表示）。需要注意的是，dd导致硅中缺陷的产生。晶格，可以作为肖克利读取霍尔（SRH）生成/复合中心或SRH载流子陷阱。这些缺陷可以以点状缺陷的形式出现在晶格中，也可以以簇状缺陷（也称为非晶态夹杂）的形式出现。综述了讨论dd概念（尤其是非电离能量损失（NIEL）概念）的起源和局限性的位移损伤效应。