大面积高品质PtSe2薄膜，具有多种极性

Bi4Ti3O12（BIT）和Bi3.25Nd0.75Ti3O12（BNT）薄膜使用脉冲激光沉积技术沉积在Pt / Ti / SiO2 / Si（100）衬底上。 通过原子力显微镜（AFM）和压电力显微镜（PFM）研究了表面形貌，铁电畴结构和极化转换。 PFM的相位和幅值图像表明BIT和BNT薄膜具有清晰的畴结构。 表面形态和畴结构的比较表明，晶界限制了畴的形状并影响了畴结构。 微机电性能由薄膜的有效压电系数d33，f表征。 结果表明，BNT薄膜的最大有效d33，f值（100 pm / V）大于BIT薄膜的最大有效d33，f值（30 pm / V）。 这可以归因于具有优选的a轴生长方向的BNT薄膜，从而导致d33，f的有效增强。 此外，所有薄膜均显示出良好的光学透射率。在500–800 nm的范围内，由于Nd掺杂，带隙从3.43 eV增加到3.52 eV。

在不同环境条件下退火的铟钨氧化物薄膜晶体管的稳定性研究

以钨为掺杂剂的氧化铟基薄膜晶体管的研究

氮化非晶SnSiO薄膜晶体管

溅射非化学计量的铝和钛氧化物层钝化的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的比较研究

具有不同含氧活性层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的热稳定性

注入能量对注入锰的非极性a面GaN薄膜特性的影响

基于氧化石墨烯薄膜的柔性纳米发电机，用于声能收集

利用有限元软件对薄膜残余应力进行了分析与计算,并与理论计算结果进行对比,说明所建立的模型是合理的。