电子束蒸发Pb1-xGexTe薄膜的硬度与晶粒尺寸的关系

插入Mn掺杂的TiO2层以提高并五苯有机薄膜晶体管的性能

形态控制的有机-无机卤化物钙钛矿薄膜增强的自发发射

HWCVD工艺参数对a-Si:H薄膜结构及其对单晶硅片钝化效果的影响研究

通过仿真和实验，我们研究了液氮温度下天线系统中未对准的Tl2Ba2CaCu2O8薄膜本征约瑟夫逊结阵列的毫米波辐照特性。 介电基板被视为介电共振天线，以改善本征约瑟夫森结阵列和喇叭天线之间的高频电磁耦合。 设计了一个用于模拟微波系统的有用模型，以演示和分析天线系统中辐射的优化。 计算并显示天线系统中的电场分布。 此外，还对接收天线和发射天线的近场和远场频率特性进行了计算和分析，以研究辐射的机理。 在实验中，通过检测抑制的IJJA临界电流，测量了最佳发射频率范围，并在发射和接收天线系统中研究了频率特性。 IJJA的临界电流被抑制到37％，并且在74.8 GHz时达到了最佳耦合效果。 电磁仿真与实验结果吻合良好。 还考虑了模拟和实验结果之间可接受的细微差别的潜在原因。 详细讨论了微桥的尺寸对介电天线的频率特性的影响。

由多层聚合物和金属组成的复合薄膜广泛用于集成电路及其封装，由于复杂的内部应力分布和演化，会引起复杂的晶圆翘曲问题。 本文确定并分析了多层聚合物-金属复合薄膜的晶片翘曲起因和机理。 采用不同的PI / Cu复合结构来表征复合膜的热机理。 晶圆在热过程中的翘曲演变是通过多光束激光光学传感器系统进行现场测量的。 发现在此温度下，PI的固化收缩过程对晶片翘曲几乎没有影响，但是，沉积材料之间的热膨胀系数（CTE）不匹配，在冷却至室温时会导致较大的翘曲。温度（RT）。 尽管PI减轻了冲击应力，但与厚度成比例地增加了RT时的总体翘曲。 嵌入到PI中的ECD Cu也占整个晶圆翘曲的很大一部分，并在热处理过程中导致磁滞回线，这表明塑性变形（例如晶粒生长或表面扩散或晶粒边界扩散）以及磁滞会被PI层很大程度上抑制。

大面积高品质PtSe2薄膜，具有多种极性

Bi4Ti3O12（BIT）和Bi3.25Nd0.75Ti3O12（BNT）薄膜使用脉冲激光沉积技术沉积在Pt / Ti / SiO2 / Si（100）衬底上。 通过原子力显微镜（AFM）和压电力显微镜（PFM）研究了表面形貌，铁电畴结构和极化转换。 PFM的相位和幅值图像表明BIT和BNT薄膜具有清晰的畴结构。 表面形态和畴结构的比较表明，晶界限制了畴的形状并影响了畴结构。 微机电性能由薄膜的有效压电系数d33，f表征。 结果表明，BNT薄膜的最大有效d33，f值（100 pm / V）大于BIT薄膜的最大有效d33，f值（30 pm / V）。 这可以归因于具有优选的a轴生长方向的BNT薄膜，从而导致d33，f的有效增强。 此外，所有薄膜均显示出良好的光学透射率。在500–800 nm的范围内，由于Nd掺杂，带隙从3.43 eV增加到3.52 eV。

在不同环境条件下退火的铟钨氧化物薄膜晶体管的稳定性研究

以钨为掺杂剂的氧化铟基薄膜晶体管的研究