根据提供的文件信息,我们可以提炼出以下知识点:
1. MT40A2G4、MT40A1G8、MT40A512M16是镁光(Micron)公司生产的不同容量的DDR4 SDRAM存储器芯片型号。
- MT40A2G4表示有2GB容量,数据宽度为4位。
- MT40A1G8表示有1GB容量,数据宽度为8位。
- MT40A512M16表示有512MB容量,数据宽度为16位。
2. DDR4 SDRAM代表第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器,是目前较为先进的内存技术。
3. 核心电压(VDD)、VDDQ均提供1.2V±60mV的电压要求,而VPP为2.5V的内部驱动电压。
4. 采用1.2V伪开路漏极(pseudo open-drain)I/O接口,以降低功耗。
5. 提供16个内部存储体组(x4, x8)或8个内部存储体组(x16),组内有4个存储体。
6. 采用8n位预取架构,即8个数据位为一组进行预取,以提高数据处理速度。
7. 可编程数据预取指引,用于优化数据的时序和效率。
8. 支持数据预取指引训练,以提升信号的稳定性。
9. 拥有命令/地址延迟(Command/Address Latency,CAL)功能,允许灵活的时序设计。
10. 具备多用途寄存器读写能力,允许通过寄存器进行读写操作。
11. 支持写平衡(Write Leveling),保证数据的稳定写入。
12. 自我刷新模式(Self Refresh Mode)能够使DRAM在无系统时钟情况下保持数据。
13. 低功耗自动自我刷新(Low-power Auto Self Refresh, LPASR)功能,用于降低工作电流。
14. 温度控制刷新(Temperature Controlled Refresh, TCR)机制,根据温度变化自动调节刷新频率。
15. 细粒度刷新功能,提供灵活的控制以优化刷新周期。
16. 支持自刷新中断功能。
17. 实现最大化的电源节省。
18. 输出驱动器校准,以确保信号的稳定性和准确性。
19. 有标准、停车和动态的ODT(On-Die Termination,片上终结)功能。
20. 支持数据总线反转(Databus Inversion, DBI)技术,以减少功耗和电磁干扰。
21. 支持命令/地址(CA)校验功能,以增强数据传输的可靠性。
22. 数据总线写循环冗余校验(CRC)功能,用于检测数据在写入过程中的错误。
23. 拥有每颗DRAM的地址功能,便于模块化或定制设计。
24. 支持连接测试,以确保内存的正常连接和性能。
25. 符合JEDEC JESD-79-4标准,为行业广泛认可的内存技术规范。
26. 提供sPPR( Serial Presence Detect Partial Register)和hPPR(High Temperature Partial Register)功能。
27. 关键时序参数包括不同的循环时间(Cycle Time),以及对应的命令延迟(CL),行地址到列地址延迟(tRCD)和行预充电延迟(tRP)。
28. 操作温度分为商业级、工业级和汽车级,分别对应不同的温度范围。
29. 频率等级和时序等级的不同组合提供了多种性能选项,如3200MT/s @ CL=22,2933MT/s @ CL=21等。
30. 封装形式包括78球FBGA和96球FBGA,均有无铅(Pb-free)设计,并提供不同尺寸版本以适应不同应用场景。
31. 数据手册中列出了不同标记和版本号,以区分不同批次和制造细节,方便用户查询和采购。
通过以上信息,我们可以了解到镁光DDR4 SDRAM的技术参数、性能特点、操作环境以及型号识别等方面的知识,这些信息对于设计、生产和采购相关内存产品都具有很高的参考价值。
2024-10-14 16:28:41
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