U-boot 环境变量的加载 以及存储过程（Nor Flash）

介绍了一种嵌入式NOR Flash控制器的设计，可以支持Flash快速在线升级模式，不需要中断向量重映射，采用两片Flash拼接，中间启动，硬件直接完成地址映射。IAP程序执行过程中支持Flash读操作，能正确返回读结果。控制器提供了1 μs参数值，应用中，只需要根据工作频率配置该参数值，硬件则自动根据该值计算出Flash器件的对应频率的各个擦写时序参数，节省了软件逐个配置多个时序参数的复杂度。含有该控制器的MCU芯片已经经过仿真验证和FPGA测试通过，并在UMC55 nm工艺上流片成功，对芯片样品的测试结果表明，该Flash控制器功能性能良好，方便使用。

U-boot 环境变量的加载 以及存储过程（Nor Flash）

内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。2016年半导体市场规模为3400亿美金，存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说，存储器就类似于钢铁之于现代工业，是名副其实的电子行业“原材料”。 　　存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如 DRAM，主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR)，两者各占三成。非易失性：断电以后，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。

Serial Flash Discoverable Parameters，This standard was prepared by the JEDEC SFDP Task Group authorized by the JC-42.4 Committee Chairman. It was derived from prior work done by Intel on their ‘Serial Flash Discoverable Parameters Guidelines’ document

1: 对嵌入式开发者有学习作用 2: nor flash/ 的datasheet 3: 对driver 开发人员有利

两径模型衰落Matlab代码停电概率作为正常对数阴影的距离的函数 加上速率自适应和瑞利衰落 规格： 对数正态阴影的中断概率是距离的函数对于对数正态阴影模型的简单路径损耗，将中断概率作为距离的函数作图，假设Pt = 30dBm，在参考距离1m处的路径损耗为- 30dB，路径损耗指数为2.5，对数正态衰落的标准偏差为3dB，噪声水平为-100dBm，可接受误码率的SNR阈值被认为是10dB。 现在，将路径损耗指数和对数正态衰落的标准偏差更改为不同的值。 绘制并评论它们如何影响中断概率作为距离的函数 瑞利衰落 浏览以下论文：Prabhu和Shankar的使用MATLAB进行课堂教学的平坦衰落仿真。 现在下载并使用此链接提供的用于Rayleigh衰落的matlab代码（raygen.m）。 对于[0,5,10,15,20,25]中的每个移动速度选择，生成power_ray系列。 使用pow（3）的阈值大小（约等于3.25dBm）将这个序列离散化为两个通道状态（如果高于阈值则为1，如果低于阈值则为0）。 将相应的序列建模为两状态马尔可夫链，并为每种情况估计参数p01和p10。

1. 简要说明 JLink的调试功能、烧写Flash的功能都很强大，但是对于S3C2410、S3C2440的Flash操作有些麻烦：烧写Nor Flash时需要设置SDRAM，否则速率很慢；烧写Nand Flash只是从理论上能够达到，但是还没有人直接实现这点。 本文使用一个间接的方法来实现对S3C2410、S3C2440开发板的Nor、Nand Flash的烧写。原理为：JLink可以很方便地读写内存、启动程序，那么可以把一个特制的程序下载到开发板上的SDRAM去，并运行它，然后使用这个程序来烧写。

spansion 的nor flash 的低层驱动,有源码和使用手册

包含Micron公司P30 flash的手册、CYPRESS公司S29GL01GT/S29GL512T flash的手册以及Micron公司的flash驱动库代码